首页 / 资料库 / 电路图
大信号检波器电路--串联型二极管峰值包络检波器
2023-09-18 19:33:00
大信号检波器电路--串联型二极管峰值包络检波器
大信号(0.5V以上)检波器,也称包络检波器。
1、串联型二极管峰值包络检波器
该种检波器的原理电路如图5.5-10A所示。在电路中,信号源U1、二极管VD和检波负载RLCL是串联相接的,故称之为串联型二极管峰值包络检波器。电路是利用VD单向导电和检波负载RLCL充放电而工作的。VD的寻通与否决定于高频输入电压U1和输出电压UO(即电容CL上的电压UCL)之差(U1-U0),在高频信号正半周(U1-U0)﹥0期间VD导通,流过VD的高频电流ID对CL导通时充电,充电时间常数为RDCL(RD很小为VD导通时的内阻)很小,U0在很短时间内就接近高频电压最大值。在(U1-U0)﹤0期间,VD截止,电容CL通过RL放电,由于放电时间常数RLCL(》RDCL)远大于高频信号周期,故放电很慢,这样不煌地循环反复充放电,就得到如图5.5-10B中电压波形。由于U0与U1的幅度相当接近,峰值包络检波由此而得名。
图5.5-10C为检波二极管电流电压波形,ID呈脉冲状,其幅度随U1包络的变化而变化,ID中含有的平均电流UDEV在负载RL上的压降即为输出电压UO。可以证明,当U1=UC(1+MACOSOT)COSOCT时UO中调制信号分量UOO为:
式中θ为二极管导通时通角之半,它为仅与RD与RL有关的一个常数。θ、RL、RD三者的关系为:
R1D决定于θ,即取决于RD/RL,因此,也可根据RD/RL值,通过表5.5-3查出R1D值。
包络检波器常有两种非线性失真:一是对角切割失真、二是负峰切割失真。
图5.5-11示出对角切割失真情况。产生该种失真的原因是检波电路的时间常数RLCL选得过大,以使电容CL的放电速率跟不上包络变化速率所造成的。为了避免对角切割失真的产生,对于单音调制选取时间常数RLCL时必须满足下式
上式表明,MA的欧越大,包络下降速度越快,避免产生对角切割失真所要求的RLCL值就越小。在多音调制时,作为工程估算,欧和MA应取其中的最大值。
图5.5-12示出负峰切割失真情况。它是由检波器的低频交流负载电阻与直流负载电阻RL不同而引起的。造成交直流负载电阻不同的原因是数值较大的隔直流电容CC的存在。在稳态病况下CC上有一直流电压U=(≈UC),它在RL上压降为:
URL对二极管而言是负的。当MA较大时,输入调幅波包络的负半周可能低于URL,在这期间(F1~F2)二极管截止,因此,产生如图5.5-12C的波形失真,它将输出低频电压负峰切割。欲不产生此类失真,必须保证(UC-MAUC)URL即:
图5.5-13是半导体收音体中检波级及有关附加电路的典型实例。R1、R2、RL2组成外加正向偏置电路。通过-6V电源给二极管VD提供一固定的正向偏流(通常在20~50UA左右),用以提高检波效率。R2C3组成低通滤波器,用来滤除RL2两端输出中的低频交流分量,取出其中的直流分量,加到前级中放管的基极,作为自动增益控制电压。检波器的输出滤波电路,接成X型滤波电路,这样不但可以进一步滤除输出电压中的残余高频分量,而且有利避免产生负峰切割失真。
图5.5-14是电视接收机图像检波器的实际电路。由于调制信号为高达6MHZ的图像信号,为保证不产生对角切割失真,且避免检波后高端频率处产生频率失真,电容C1选得比较小。由于C1较小,只靠它滤除高频分量还不够,为此又接入LC2滤波器。电阻R2与二极管串联,能改善检波线性,这时传输系数有所下降,但一般改变不大。
本文地址:https://www.elecfans.com/arTIcle/88/131/189/2010/20100525218535.html
最新内容
手机 |
相关内容
什么是射流继电器,射流继电器的基本
什么是射流继电器,射流继电器的基本结构、技术参数、工作原理、负载分类、如何选用、操作规程及发展历程,继电器,工作原理,分类,负什么是半桥驱动器芯片,半桥驱动器芯
什么是半桥驱动器芯片,半桥驱动器芯片的组成、特点、原理、分类、操作规程及发展趋势,芯片,驱动器,发展趋势,分类,连接,转换,TPS5430什么是互感器,互感器的组成、特点、
什么是互感器,互感器的组成、特点、原理、分类、操作规程及发展趋势,发展趋势,分类,输入,计量,用于,信号,AD574AKD互感器是一种用于什么是NFC控制器,NFC控制器的组成、
什么是NFC控制器,NFC控制器的组成、特点、原理、分类、常见故障及预防措施,控制器,分类,模式,移动支付,数据,信号,NFC(Near Field Com什么是表面声波滤波器,表面声波滤波
什么是表面声波滤波器,表面声波滤波器的组成、特点、原理、分类、常见故障及预防措施,滤波器,分类,稳定性,宽窄,选择,频率,表面声波强磁场会影响到射频芯片的性能吗?
强磁场会影响到射频芯片的性能吗?,性能,芯片,电磁干扰,屏蔽,结构,信号,强磁场可能会对射频芯片的性能产生影响。AD1580BRTZ-REEL7射重庆东微电子推出高性能抗射频干扰
重庆东微电子推出高性能抗射频干扰MEMS硅麦放大器芯片,芯片,推出,算法,抑制,音频,信号,重庆东微电子有限公司最近推出了一款高性能射频连接器使用技巧与注意事项
射频连接器使用技巧与注意事项,连接器,选择,频率,类型,连接,传输,射频连接器是一种用于连接射频电路的电子元件,常用于无线通信系统