首页 / 资料库 / 电路图
乙类双电源互补对称功率放大电路
2023-09-18 22:28:00
乙类双电源互补对称功率放大电路组成
在图5.4所示电路中,两晶体管分别为NPN管和PNP管,由于它们的特性相近,故称为互补对称管。
静态时,两管的ICQ=0;有输入信号时,两管轮流导通,相互补充 。既避免了输出波形的严重失真,又提高了电路的效率。
由于两管互补对方的不足,工作性能对称, 所以这种电路通常称为互补对称电路。
二、分析计算
1. 输出特性曲线的合成
因为输出信号是两管共同作用的结果, 所以将T1、T2合成一个能反映输出信号和通过负载的电流的特性曲线。合成时考虑到:
(1)vi=0时,VCEQ1=Vcc , -VCEQ2=Vcc, 因此 Q1=Q2 。
(2)由流过RL的电流方向知ic1与ic2方向相反。即两个纵坐标轴相反。
(3)特性的横坐标应符合:vCE1+vEC2=Vcc-(-Vcc)=2Vcc
vCE1的原点与-vCE2=2Vcc点重合;-vCE2的原点与+vCE1=2Vcc点重合。
由以上三点,得两管的合成曲线如图5.6所示。这时负载线过Vcc点形成一条斜线,其斜率为-/RL。显然,允许的iC的最大变化范围为2ICm,vCE的变化范围为2(VCC-VCES)=2Vcem=2IcmRL。如果忽略BJT的饱和压降VCES,Vcem=IcmRL≈VCC。
2. 计算输出功率Po
在输入正弦信号幅度足够的前提下,即能驱使工作点沿负载线在截止点与临界饱和点之间移动。如图5.6所示波形。 输出功率用输出电压有效值V0和输出电流I0的乘积来表示。设输出电压的幅值为Vom,则
这恰好是图5.6中△ABQ的面积。因为Iom=Vom/RL,所以
图5.5中的T1 、T2可以看成工作在射极输出器状态,AV≈1。当输入信号足够大,使Vim=Vom= Vcem= VCC- VCES ≈VCC和Iom=Icm时,可获得最大的输出功率
由上述对Po的讨论可知,要提供放大器的输出功率,可以增大电源电压VCC或降低负载阻抗RL。 但必须正确选择功率三极管的参数和施加必要的散热条件,以保证其安全工作。
3.BJT的管耗PT
4、电源提供的功率
5、效率η
三、功率BJT的选择
1、最大管耗和最大输出功率的关系
上式表明:当Vom" 0.6VCC时,BJT具有最大的管耗,
因此,功率三极管的选择应满足以下条件:
例题:P220,5.2.3
已知:vi为正弦波,RL=8W, VCES=0,Pom=9W
求 (1)±VCC的最小值,
(2)BJT的ICM、
(3)Pom=9W时的Pv (4)BJT的PCM (5)vi的有效值
解(1)
(2)BJT的ICM> Iom
最新内容
手机 |
相关内容
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件,支持,定位,推出,高功率,封装,器件,加利福尼亚州戈垂直GaN功率器件彻底改变功率半导
垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体,器件,能力,高功率,密度,频率,功率密度,垂直GaN功率器件是一种新型的SN75240PWR功率半导体器件,比较器芯片和运放电路的区别
比较器芯片和运放电路的区别,运放,芯片,比较器,信号处理,响应,需求,比较器芯片和运放电路是常用的电子元件,它们在电路设计和信号处如何选择合适的片式电阻?薄膜电阻与
如何选择合适的片式电阻?薄膜电阻与厚膜电阻有什么不同之处?,厚膜,最大功率,类型,等级,器件,精度,片式电阻(也称为薄膜电阻)一种用于电如何选择氮化镓芯片
如何选择氮化镓芯片,芯片,稳定性,高功率,系统,频率,选择,氮化镓芯片(GaN芯片)是一种新型的半导体材料,具有高电子迁移率、高热导率和高支撑高端芯片研发,合见工软进军国产
支撑高端芯片研发,合见工软进军国产EDA全流程,软进,研发,芯片,布局,中国,垄断,合见工软(HuaJian Microelectronics)是一家专注于EDA(Ele基于单片金纳米线逻辑电路的多功能
基于单片金纳米线逻辑电路的多功能智能可穿戴设备开发,智能,可穿戴设备,逻辑电路,健康,分享,监测,随着科技的不断发展,可穿戴设备已电阻、电感与电容的区别
电阻、电感与电容的区别,常见,介电常数,电路设计,性是,单位,温度,电阻、电感和电容是电路中常见的三种基本元件,它们在电路中起着不