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空乏

  • FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

    FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

    FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布,实用,通道,平面,的是,空乏, 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质,易于控制特性的不均现象,因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术,但有望比前者更加容易实现微细化(高集成化)。两种技术以...

    2011-01-18 00:00:00百科实用 通道 平面

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    2010-06-23 00:00:00百科平面 通道 晶体管

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