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东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率
2023-03-13 00:00:00
中国上海,2023年3月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。
功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中,例如变频器在空调中的应用越来越普遍,以及工业设备的大型电源需要降低功耗,因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低开关损耗(关断损耗),与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外,新款IGBT还包含一个内置的二极管,其正向电压为1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。
对于使用东芝当前产品GT50JR22的空调PFC电路,其工作频率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是东芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通过降低开关损耗(关断损耗)来确保更高的工作频率。
东芝将继续扩大产品线,以充分适应市场趋势,并不断提高设备效率。
图1 关断损耗Eoff
图2 效率与壳温
应用:
- 家用电器(空调等)
- 工业设备(工厂自动化设备、多功能打印机等)
特性:
- 行业领先[2]的低开关损耗(关断损耗):由最新工艺实现的Eoff=0.35mJ[3](典型值)
- 采用反向导通(RC)结构的内置续流二极管(FWD)
- 快速开关时间(下降时间):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)
- 低二极管正向电压:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)
主要规格:
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 | GT30J65MRB | ||
封装 | TO-3P(N) | ||
绝对最大 额定值 | 集电极-发射极电压VCES(V) | 650 | |
集电极电流(DC)IC(A) | TC=25℃ | 60 | |
TC=100℃ | 30 | ||
结温Tj(℃) | 175 | ||
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)典型值(V) | IC=30A、VGE=15V、TC=25℃ | 1.40 | |
开关时间(下降时间)tf典型值(ns) | 电感负载、 VCE=400V、IC=15A、 VGE=15V、RG=56Ω、TC=25℃ | 40 | |
开关损耗(关断损耗) Eoff典型值(mJ) | 电感负载、 VCE=400V、IC=15A、 VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃ | 0.35 | |
二极管正向电压VF典型值(V) | IF=15A、VGE=0V、TC=25℃ | 1.20 | |
结壳热阻Rth(j-c)最大值(℃/W) | 0.75 | ||
库存查询与购买 | 在线购买 |
注:
[1] 功率因数校正(PFC)电路:该电路可减小电压和电流之间的相位差,使功率因数接近于1,以抑制开关电源中产生的谐波分量。
[2] 根据东芝截至2023年3月的调研。
[3] 测试条件:电感负载、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃
[4] 截至2023年3月,东芝测量值(测试条件:VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、TC=175℃)。
[5] 测试条件:IF=15A、VGE=0V、TC=25℃
[6] 截至2023年3月,由东芝使用其PFC评估板测试得到的测量值。
如需了解新产品的更多信息,请访问以下网址:
GT30J65MRB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.GT30J65MRB.html
如需了解相关东芝IGBT的更多信息,请访问以下网址:
IGBT
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts.html
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GT30J65MRB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.GT30J65MRB.html
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