长江存储128层QLC3DNAND闪存研发成功

2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

此次同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

长江存储X2-6070128LQLC1.33Tb3DNAND

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”

Xtacking2.0进一步释放闪存潜能

得益于Xtacking架构对3DNAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中，Xtacking已全面升级至2.0，进一步释放3DNAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2VVccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking2.0还为3DNAND带来更佳的扩展性。未来，长江存储将与合作伙伴携手，构建定制化NAND商业生态，共同推动产业繁荣发展。

长江存储通过对技术创新的持续投入，已成功研发128层两款产品，并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度，为今后3DNAND行业发展探索出一条切实可行的路径。龚翊强调：“我们相信，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

X2-6070充分发挥QLC技术特点

QLC是继TLC（3bit/cell）后3DNAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3，665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3，665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14，660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLCSSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示：“与传统HDD相比，QLCSSD更具性能优势。在企业级领域，QLCSSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。”

闪存长江芯片研发存储密度

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