东芝存储：存储级内存比采用SLC技术的TLC快10倍

东芝存储公司6日宣布推出一种新的存储器（SCM）——XL-FLASH，并开始提供样品。该产品使用1位/单元SLC技术，使用96层堆叠工艺实现3D闪存BiCSFLASH的高速读写。128Gbit芯片的样品出货将于9月开始，大规模生产将于2020年开始。

XL-FLASH采用16物理平面结构，具有出色的并行处理能力，以及与现有TLC（3位/单元）BiCSFLASH相比可实现高速处理的电路技术。它实现了5μs或更短的读取延迟，速度提高了10倍，并且定位为新的存储器层次结构，填补了DRAM和NAND闪存之间的性能差异。

此外，与传统DRAM相比，该产品可降低每比特成本，并且是支持NAND闪存等大容量的非易失性存储器。东芝存储将通过XL-FLASH响应不断扩大的SCM市场的需求，包括用于数据中心和企业存储的高速SSD。

结构样品内存东芝能力

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