意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低开关功率损耗

　　2021 年 10 月 26 日，中国——STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， LED 驱动器、HID 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

　　意法半导体 800V STPOWER MDmesh K6系列， 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS（on） x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

　　此外，K6 系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 （Qg） 也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。

　　芯片上集成一个 ESD 保护二极管，将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体模型 （HBM） 2 级。

　　意大利固态照明创新企业TCI（www.tcisaronno.net）的首席技术官、研发经理 Luca Colombo 表示：“我们已经测评了新的超结超高压 MDmesh K6 系列的样片，并注意到其出色的 Rdson* 面积和总栅极电荷 （Qg） 性能特点，给我们印象深刻。”

　　采用 TO-220 通孔封装的 STP80N240K6 （RDS（on）max = 0.22？6？8， Qgtyp = 25.9nC）是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK 和 TO-220FP 版本将于 2022 年 1 月前量产。订购1000 件，单价1.013 美元起。

　　意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合，将导通电阻RDS（on）范围从 0.22Ω 扩大到 4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括 SMD 和通孔外壳。

损耗系统参数适合驱动器

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。