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华邦HyperRAM与SpiStack助力瑞萨RZ/A2M微处理器加速构建嵌入式AI系统
2021-07-08 00:00:00
2021-07-08中国苏州 —— 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子于今日宣布,正式确认华邦HyperRAM™ 和 SpiStack® (NOR+NAND) 产品能够与瑞萨基于Arm® 内核的RZ/A2M 微处理器 (MPU) 搭配使用。华邦长期向瑞萨供应各类外部存储器,其中包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash等嵌入式系统的主流内存产品,RZ/A2M的用户也因此受益。
瑞萨RZ/A2M微处理器适用于人机界面(HMI),尤其是带有摄像头的HMI应用。RZ/A2M还支持广泛应用于移动设备的移动产业处理器接口(MIPI),并配备了用于高速图像处理的动态可配置处理器(DRP)。
RZ/A2M具备两个以太网通道,并且能够通过加密硬件加速器提升安全性能。因此,RZ/A2M 可实现安全可靠的高速网络连接,广泛应用于消费电子产品和工业设备的图像识别。
华邦HyperRAM是嵌入式AI和图像处理分类的理想选择。HyperRAM在保证电子电路足够小的同时可提供高存储和数据带宽,以支持图像识别等计算密集型工作负载。此外,SpiStack使设计人员可以以最微小型的系统设计灵活地将代码存储在NOR芯片中,并同时将数据存储在NAND芯片中。
以下是瑞萨RZ/A2M微处理器搭载华邦HyperRAM、SpiStack的嵌入式AI系统配置示例:
· 华邦HyperRAM:可作为工作内存使用,更适合AIoT设备的嵌入式AI和图像处理应用。
· 华邦SpiStack (NOR+NAND):NOR 芯片存储RZ/A2M 的启动代码和应用程序代码,NAND芯片可存储嵌入式AI学习数据和相机图像等多个大型数据。
· 瑞萨RZ/A2M:使用移动产业处理器接口(MIPI)摄像头和动态可配置处理器(DRP)来高速执行嵌入式AI成像应用。
华邦产品性能
HyperRAM 运行的最大频率为200MHz,可在3.3V或1.8V的工作电压下提供400MB/s的最大数据传输速率。HyperRAM在运行与混合睡眠模式下,均可提供超低功耗。以华邦的64Mb HyperRAM为例,在室温下,1.8V 待机功耗为 70uW。值得一提的是,HyperRAM 在1.8V 混合睡眠模式下的功耗只有35uW。此外,HyperRAM 只有13个信号引脚,这大大简化了PCB设计。当设计师设计成品时,MPU上的更多引脚可用于其他目的,设计师也可使用更少引脚的MPU 以获得更高经济效益。
华邦SpiStack (NOR+NAND) 将NOR芯片和NAND芯片堆叠到一个封装中,例如 64Mb Serial NOR和1Gb QspiNAND芯片堆叠,使设计人员可以灵活地将代码存储在 NOR 芯片中,并将数据存储在NAND芯片。此外,虽然是两个芯片 (NOR+NAND) 的堆栈,但单一封装的SpiStack,在使用上仅需6个信号引脚。
SpiStack通过简单的软件芯片选择命令 (C2h) 和指定的芯片ID实现切换工作芯片。其最高时钟频率可达104MHz,在Quad-SPI下,等同于416MHz。此外,SpiStack(NOR+NAND)支持并发操作(concurrent operation),当某颗芯片在执行写入/擦除时,另一颗芯片可以同时进行写入/擦除/读取,反之亦然。
瑞萨电子企业基础设施事业部副总裁加藤茂树表示:“随着嵌入式AI系统变得越来越复杂,使用搭载外部存储器的RZ/A2M可支持应用程序代码或训练模型不断增加的数据量。现在RZ/A2M已经确定搭载华邦的HyperRAM 与SpiStack内存,客户可以一次性获得涵盖RAM与Flash的华邦外部内存,并且可以毫无顾虑地使用我们的产品。”
华邦日本产品营销及应用工程副总三村直己表示:“采用华邦的HyperRAM和SpiStack (NOR+NAND)可以减少PCB上的内存安装面积、导线数量和BOM成本。 两种封装尺寸均仅有8x6mm , 其中有13个信号引脚用于HyperRAM,6个用于SpiStack (NOR+NAND)。 与传统的SDRAM和并行NOR/NAND相比,华邦HyperRAM和SpiStack的封装尺寸和终端数量都减少了80%左右。搭载于瑞萨RZ/A2M,用户可享受华邦提供的整体内存解决方案。”
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