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飞兆开发出P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET
2012-05-18 00:00:00
便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
这些器件采用最新的“微间距”薄型WL-CSP封装工艺，最大限度地减小线路板空间和RDS（ON），并在微小外形尺寸封装中实现出色的散热特性。
特性和优势
· 非常小的（0.8 x 0.8mm2）封装仅占0.64mm2的印刷线路板面积，比2mm x 2mm CSP封装的占位面积减小16%
· 安装于印刷线路板时，达到低于0.4mm的超低侧高
· VGS低至-1.5V，低的RDS（ON） 值
· 出色的散热特性（1平方英寸 2盎司铜焊盘上，93度C/W的RΘJA）
· 满足RoHS要求
· 适用于便携应用的电池管理和负载开关功能
作为便携技术的领先企业，飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor） 提供广泛的模拟和功率知识产权（IP）产品组合，可进行定制以满足手机制造商的特定需求。飞兆半导体通过注重实现用户满意度和市场成功的特定模拟和功率功能，例如音频、视频、USB、ASSP/逻辑、RF电源、内核电源和照明等，能够提供改善功能性同时节省空间和功率的解决方案。
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