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DS1323设计灵活的非易失控制器
2012-04-16 00:00:00
DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测，判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限，将禁止芯片使能输出，完成写保护操作，并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺，以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM，可以采用三种存储器配置的任何一种。
除了支持电池备份外，DS1323还具备一个重要功能，可监测锂电池的剩余电量，在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定，需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压，实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下，电池将很快耗尽。此时，器件将触发电池报警引脚，发出需要更换电池的报警信号。
关键特性
将CMOS SRAM转换成非易失存储器
一旦VCC超出容限范围，将无条件进入SRAM写保护
VCC电源失效时，自动切换到后备电池
灵活的存储器结构
模式0：4组，每组1个SRAM
模式1：2组，每组2个SRAM
模式2：1组，每组4个SRAM
监测锂电池电压，在电池将要失效时发出预警信号
低电池电压条件下，触发低电平有效报警信号
电源失效时，可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态
10%电源失效检测
工作在工业级温度范围：-40°C至+85°C
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