ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试

　　对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的（基于平面晶体管结构的）芯片相比，新架构使得芯片可以在较低的电压水平上，更有效率地运作——在降低能耗的同时，更能延长系统的续航时间。

　

　　至于半导体行业中的其它公司，已经在向3D晶体管工艺（更常用的称呼为“FinFETs”）迁移的过程中，落后于英特尔。

　　如果没有这种新的结构，那么向28nm以下制程迁移的过程就会变缓。其中一部分原因为，随着平面型晶体管（planar transistor）变得更小，其能源效率和成本就变得不那么有吸引力。

　　幸运的是，貌似领先的芯片代工厂——台积电（TSMC）——已经在部署16nm FinFETs的工艺上，取得了不错的进展。

　　今天，TSMC与ARM披露了两家公司已经在去年年底进行了一个相当复杂的测试芯片，并且是基于台积电的16nm FinFET工艺打造的！

　　该芯片包括了双核Cortex-A57和四核Cortex-A53 CPU核心——基于相似的big.LITTLE不对称方案——主要面向消费级SoC。这一发展也将助力ARM和TSMC开辟出SoC设计的新道路。

　　ARM的公告称，TSMC的16nm FinFET工艺，有着激动人心的好处：“在相同的总能耗下，芯片设计的速度可以快上》40%，或者比28nm制程节省》55%的总能耗”。

　　这一公告与英特尔的“22nm三栅极制程比之32nm工艺的优势”如出一辙。台积电预计，在2014年的时候，采用其16nm FinFET工艺的客户将有望超过20家。

台积电芯片测试平面结构

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