首页 / 百科
MAX8896 双通道PWM降压型转换器,采用2mm x 2
2010-02-21 00:00:00
MAX8896 双通道PWM降压型转换器,采用2mm x 2mm封装,适用于WCDMA PA和RF电源 概述 MAX8896双路降压转换器经过优化专为WCDMA手机的功率放大器(PA)和RF收发器供电。该器件集成了高效PWM降压转换器(OUT1),用于中等功率和低功率发射;大功率发射时通过内部140mΩ (典型值)旁路FET直接由电池为PA供电。另一路高效PWM降压转换器(OUT2)直接为高PSRR、低输出噪声、200mA低压差稳压器(LDO)供电,用于RF收发器供电。
较高的开关频率允许使用小尺寸陶瓷输入、输出电容,并保持低纹波电压。器件集成反馈网络,进一步降低了外部器件数量和整体方案尺寸。OUT1通过外部DAC产生的模拟输入,线性控制输出电压,可连续调整PA功率。工作在较高占空比时,OUT1自动切换至旁路模式,通过一个低导通电阻(140mΩ,典型值) MOSFET连接输入和输出。
OUT2是工作在2MHz固定开关频率的降压转换器,可在100%占空比下工作。在整个负载、输入电压和温度范围内保持±2%的输出精度。OUT2输出预置为3.1V,为200mA、2.8V LDO供电,该LDO具有低噪声(16µVRMS,典型值)和高PSRR (65dB,典型值)特性。这种配置能够抑制RF收发器电源在100Hz至100kHz频率范围的噪声。
其它特性包括:独立的输出使能、低电源电流关断模式、输出过流保护以及过热保护。MAX8896采用16焊球、2mm x 2mm UCSP™封装(最大高度0.7mm)。 关键特性PA降压转换器(OUT1) RF降压转换器(OUT2) 低噪声LDO 简单的逻辑开/关控制 0.1µA低关断电流 2.7V至5.5V电源电压范围 热关断 2mm x 2mm UCSP封装(4 x 4阵列) 智能电话
WCDMA/NCDMA蜂窝电话
较高的开关频率允许使用小尺寸陶瓷输入、输出电容,并保持低纹波电压。器件集成反馈网络,进一步降低了外部器件数量和整体方案尺寸。OUT1通过外部DAC产生的模拟输入,线性控制输出电压,可连续调整PA功率。工作在较高占空比时,OUT1自动切换至旁路模式,通过一个低导通电阻(140mΩ,典型值) MOSFET连接输入和输出。
OUT2是工作在2MHz固定开关频率的降压转换器,可在100%占空比下工作。在整个负载、输入电压和温度范围内保持±2%的输出精度。OUT2输出预置为3.1V,为200mA、2.8V LDO供电,该LDO具有低噪声(16µVRMS,典型值)和高PSRR (65dB,典型值)特性。这种配置能够抑制RF收发器电源在100Hz至100kHz频率范围的噪声。
其它特性包括:独立的输出使能、低电源电流关断模式、输出过流保护以及过热保护。MAX8896采用16焊球、2mm x 2mm UCSP™封装(最大高度0.7mm)。 关键特性
- 7.5µs (典型值)建立时间,0.5V至1V输出电压范围
- 动态输出电压设置范围:0.5V至VBATT
- 140mΩ旁路PFET和100%占空比,用于低压差
- 2MHz开关频率
- 低输出电压纹波
- 700mA (最小值)输出驱动能力
- 2%增益精度
- 纤小的外部元件
- 2MHz固定开关频率
- 94%峰值效率
- 100%占空比
- 在整个负载、输入电压和温度范围内保持±2%的输出精度
- 200mA (最小值)输出驱动
- 纤小的外部元件
- 保证200mA输出电流
- 65dB (典型值)高PSRR
- 固定输出电压
- 低噪声(16µVRMS,典型值)
应用/使用
典型应用电路
最新内容
手机 |
相关内容
氮化镓芯片到底是如何做的呢?
氮化镓芯片到底是如何做的呢?,做的,芯片,可靠性,能和,封装,步骤,氮化镓(GaN)芯片是一种基于氮化镓材料制造的XC3S200A-4VQG100C微电子开关电源供应器的功能、应用场景以
开关电源供应器的功能、应用场景以及重要性,应用场景,开关电源,高效率,超过,能源,车载充电器,开关电源供应器(Switching Power SupplTransphorm推出TOLL封装FET,将氮化
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件,支持,定位,推出,高功率,封装,器件,加利福尼亚州戈超小封装功放芯片NTA4153NT1G介绍
超小封装功放芯片NTA4153NT1G介绍,芯片,封装,支持,高性,音频,清晰,NTA4153NT1G是一款超小封装功放芯片,它具有高性能和低功耗的特点芯片如何安装到主板上?芯片封装工艺
芯片如何安装到主板上?芯片封装工艺流程,芯片,封装,主板,安装,焊盘,密封,芯片安装到主板上是电子设备制造过程中的重要步骤之一。芯碳化硅功率模块封装及热管理关键技
碳化硅功率模块封装及热管理关键技术解析,封装,模块,技术解析,性能,结构,连接,化硅(SiC)功率模块是一种高性能的半导体器件,具有低导通半导体后端工艺:晶圆级封装工艺
半导体后端工艺:晶圆级封装工艺,封装,方法,参数,性能测试,测试,芯片,半导体后端工艺是指在晶圆制造完成后,对DRV8838DSGR芯片进行封装TPAK封装IGBT模块在新能源电机控制
TPAK封装IGBT模块在新能源电机控制器上的应用,模块,新能源,电机控制,封装,系统,电机控制器,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor