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增加额外功耗的同时保持高帧率Inde-Flux变压器技术
2021-07-11 17:47:50
inde-flux变压器(部件编号750318659)是würth elektronik eisos利用该专利制造的第一款变压器,将作为microchip 15w mcp1012离线参考设计的组件出售。参考设计采用专利隔离技术用于隔离反馈。这项专利隔离技术称为inde-flux变压器技术,已向würth elektronik eisos公司授权。
这款变压器将信号功率和信号通信结合到一个器件中,无需光反馈或独立的信号变压器。
全新参考设计还可以选择采用更传统的方法,使用平面脉冲变压器,与更传统的光耦合器和信号变压器一起工作。通过使用该变压器和microchip新推出的mcp1012 ac-dc控制器以及sam d20系列32位单片机组合,可实现次级侧控制。
制造商:diodes incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(bjt) 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:sot-26-6 晶体管极性:npn, pnp 配置:dual 集电极—发射极最大电压 vceo:40 v 集电极—基极电压 vcbo:45 v, 150 v 发射极 - 基极电压 vebo:7 v 最大直流电集电极电流:3.5 a pd-功率耗散:1700 mw 增益带宽产品ft:190 mhz, 270 mhz 最小工作温度:- 55 c 最大工作温度:+ 150 c 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 直流电流增益 hfe 最大值:300 at 10 ma, 2 v 高度:1.3 mm 长度:3.1 mm 技术:si 宽度:1.8 mm 商标:diodes incorporated 直流集电极/base gain hfe min:300 at 10 ma, 2 v at npn, 280 at 1 a, 2 v at npn, 40 at 3.5 a, 2 v at npn, 300 at 10 ma, 2 v at pnp, 200 at 1 a, 2 v at pnp, 20 at 3 a, 2 v at pnp 产品类型:bjts - bipolar transistors 工厂包装数量3000 子类别:transistors 单位重量:15 mg
sc910gs及sc410gs成为了国内首家实现高分辨率its应用global shutter图像传感器的企业.
通过分辨率提升使摄像头得以捕捉到更多的影像信息,其中sc410gs可实现一机双车道监测,在单车道下人脸与车牌识别率超过90%.
此外,区域hdr技术还可在不增加额外功耗的同时保持高帧率,使its摄像头能够自如应对日夜工作下的全天光线变化,提升场景适用性。
通过简化设计、减小尺寸和成本,系统与负载之间的控制可以实现更加精确和有目的地耦合。
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