电压最高GaN功率器件的16通道BQ79616-Q1芯片

耐用型gan功率hemt（高电子迁移率晶体管）。

650 v gan hemt是市面上电压最高的gan功率器件，用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用，是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选。

器件配有底部冷却装置，采用超低fom island technology®芯片和低电感ganpx®封装，提供大于100 mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等等。

650 v系列高功率gan hemt。新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益。

制造商:power integrations 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:smd-8 输出电压:12 v 输出功率:11.5 w 输入/电源电压—最小值:85 vac 输入/电源电压—最大值:265 vac 开关频率:132 khz 占空比 - 最大:65 % 工作电源电流:295 ua 最小工作温度:- 40 c 最大工作温度:+ 150 c 输出电流:1 a 系列: 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 输出端数量:1 output 类型:off line converter 商标:power integrations 湿度敏感性:yes 产品类型:ac/dc converters 1000 子类别:pmic - power management ics 商标名: 单位重量:1.377 g

以10mm x 10mm，64引脚耐热增强型薄型四方扁平封装（htqfp）的16通道bq79616-q1芯片,以16引脚薄型收缩小型封装（tssop）的bq79600-q1.

当这些颜色组合在一起时，可以创造出光谱上各种各样的颜色，包括黄色和紫色， 甚至很难产生的白色。

新组件的结构也要求高精度对齐，tdk的高速自动化技术转移激光芯片，可在高速、高精度下对齐芯片，并将芯片粘到 plc上。该过程在5秒内自动完成，比传统模块快了约150倍。

tdk 的超小型全彩激光模块还可以运用到许多应用上，而我们的高速制造工艺也将为该模块的使用提供支持。

(素材

器件电机控制通道航空芯片

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