器件

• 集成电路微型化发展，ESD防护需跟上

  

  集成电路微型化发展，ESD防护需跟上，性能,芯片,趋势,解决方案,器件,测试，随着科技的发展，集成电路（Integrated Circuit, IC）的微型化已经成为一个不可逆转的趋势。微型化带来了许多好处，如更高的性能、更低的功耗、更小的体积和更低的成本。然而，微型化也带来了一系列新的问题，其中之一就是静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）对集成电路的损害。ESD是指当两个物体之间发生电荷差异时，电荷会通过空...

  2023-12-01 10:17:00行业信息性能 芯片 趋势

• Wolfspeed采用TOLL封装的碳化硅MOSFET产品介绍

  

  Wolfspeed采用TOLL封装的碳化硅MOSFET产品介绍，产品介绍,封装,采用,产品,器件,热性，Wolfspeed是一家领先的碳化硅（SiC）功率半导体解决方案供应商，提供高性能、高效率的碳化硅MOSFET产品。这些MOSFET采用了TOLL封装技术，具有出色的热性能和电气性能，适用于广泛的应用领域。碳化硅MOSFET是一种新型的TIP35C功率半导体器件，具有比传统硅MOSFET更高的电气特性。碳化硅具有更高的电子饱和漂移速度和热...

  2023-12-01 10:17:00行业信息产品介绍 封装 采用

• 电容器的作用及原理

  

  电容器的作用及原理，作用,运动,流出,器件,充电,信号，LD1117DT33CTR电容器是一种能够存储电荷的器件，其主要作用是在电路中提供电荷的储存和释放功能。电容器的原理是利用两个导体之间的电场来储存电荷。下面将详细介绍电容器的作用和原理。一、电容器的作用：1、储存电荷：电容器可以将电荷储存在其两个导体板之间的电场中。当电容器与电源相连时，电荷会从电源流入电容器，并在导体板之间形成电场。当电源断开时，电容器能够保持储存的电荷。这种储存电荷...

  2023-12-01 10:16:00行业信息作用 运动 流出

• 光芒熠熠：功率半导体企业引领未来科技之路

  

  光芒熠熠：功率半导体企业引领未来科技之路，企业,应用领域,控制,中国,器件,可靠性，近年来，随着科技的迅猛发展，功率半导体企业成为了引领未来科技之路的重要力量。FMMT718TA功率半导体是一种能够控制和调节电流的电子器件，广泛应用于电力电子、新能源、汽车电子、通信等领域，为现代社会的发展提供了强大的支撑。本文将从功率半导体企业的发展历程、技术创新、市场前景等方面进行探讨。一、功率半导体企业的发展历程功率半导体企业的起步可以追溯到20世纪6...

  2023-12-01 10:15:00行业信息企业 应用领域 控制

• 熔断器—储能系统的核心器件

  

  熔断器—储能系统的核心器件，核心,系统,器件,熔断丝,损坏,运行，CD4052BPWR熔断器是储能系统中的核心器件之一，它在储能系统中起到保护电池组安全运行的重要作用。本文将从熔断器的原理、分类和应用等方面进行详细介绍。1、熔断器的原理熔断器是一种电气保护装置，它通过在电路中加入一个熔断丝或者熔断体，当电路中的电流超过设定值时，熔断丝或者熔断体会发生熔断，切断电路，保护电路和设备的安全。熔断器的原理主要基于热效应和电磁效应。当电流通过熔断丝...

  2023-12-01 10:14:00行业信息核心 系统 器件

• 电压敏电阻与热敏电阻的基本原理和应用

  

  电压敏电阻与热敏电阻的基本原理和应用，超过,常见,补偿,控制,温度,器件，电压敏电阻（Voltage Dependent Resistor，简称VDR）和热敏电阻（Thermistor）是两种常见的电阻器件，其基本原理和应用如下：一、电压敏电阻（VDR）的基本原理和应用：1、基本原理：电压敏电阻是一种非线性电阻器件，其电阻值与电压成正比。当电压低于某一临界值时，电阻值很大，相当于开路；当电压高于临界值时，电阻值迅速下降，相当于短路。这种特性...

  2023-12-01 10:14:00行业信息超过 常见 补偿

• 智能功率器件IPD带来更高效驱动控制

  

  智能功率器件IPD带来更高效驱动控制，控制,器件,智能,转换,实时,动电，智能功率器件IPD（Intelligent Power Device）是一种集成了智能控制功能的功率器件。它能够提供更高效的驱动和控制，以提高功率转换的效率和可靠性。IPD器件通常由功率半导体器件（如MOSFET或IGBT）和控制电路组成。传统的功率器件需要外部驱动电路来控制其开关行为，而IPD器件内部集成了驱动电路和保护功能，可以实现更精确的控制和更高的效率。IPD...

  2023-12-01 10:13:00行业信息控制 器件 智能

• 一文带你了解光耦器件

  

  一文带你了解光耦器件，器件,系统,转换,数字,隔离,信号，光耦器件（Optocouplers），也被称为光电隔离器、光电耦合器、光电耦合隔离器等，是一种能够将电气信号和光信号相互转换的M27C256B-12F1电子器件。它由一个发光二极管（LED）和一个光敏二极管（光电二极管或光敏三极管）组成，两者通过一个透明的绝缘材料隔离开来。光耦器件主要通过光的反射、折射和吸收等现象，来实现输入端和输出端之间的电隔离。光耦器件的工作原理如下：当输入端施...

  2023-12-01 10:09:00行业信息器件 系统 转换

• 什么是氮化镓充电器，氮化镓充电器的组成、特点、原理、分类、操作规程及发展趋势

  

  什么是氮化镓充电器，氮化镓充电器的组成、特点、原理、分类、操作规程及发展趋势，分类,发展趋势,输入,控制,器件,充电，氮化镓充电器是一种基于氮化镓材料的功率电子器件，用于将电能转换为电流和电压符合充电设备要求的信号，从而实现对电池或其他设备的充电功能。氮化镓充电器具有高效率、高频率、高功率密度、高可靠性和高温工作能力等特点，被广泛应用于电动车、电动工具、无线通信设备等领域。氮化镓充电器的组成主要包括功率电子器件、控制电路和LM2596S-1...

  2023-12-01 10:08:00电子技术分类 发展趋势 输入

• Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

  

  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能，汽车电源,器件,人工智能,能源,推出,电气性能，加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN? FET。新产品TP...

  2023-12-01 10:08:00行业信息汽车电源 器件 人工智能

• 异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别？

  

  异构集成 (HI) 与系统级芯片 (SoC) 有何区别？，系统,芯片,异构,集成,器件,处理器，异构集成 (Heterogeneous Integration) 和系统级芯片 (System-on-a-Chip) 都是与集成电路技术相关的概念，但它们在设计和应用上有一些区别。异构集成是指将不同种类的FDC6329L芯片或器件集成在一起，形成一个功能更强大、更复杂的系统。这些芯片或器件可以来自不同的制造商，具有不同的功能和特性。异构集成的目标...

  2023-12-01 10:06:00行业信息系统 芯片 异构

• 放大器中还能应用电容和电感器件，这两种元件的噪音如考虑和描述？

  

  放大器中还能应用电容和电感器件，这两种元件的噪音如考虑和描述？，描述,器件,噪音,信号,选择,噪声，放大器中，电容和电感器件是常用的元件，它们在电路中起到了重要的作用。然而，这两种元件在放大器中也会产生噪音，对ATTINY13A-SSU放大器性能产生一定的影响。下面将分别介绍电容和电感器件在放大器中的噪音问题。电容器作为一种储存电荷的元件，常用于放大器的耦合和滤波电路中。在放大器的耦合电路中，电容器用于将输入信号与放大器的直流偏置电压隔离，...

  2023-11-18 20:24:00行业信息描述 器件 噪音

• 毫米波器件性能提升成本下降，发展多样应用

  

  毫米波器件性能提升成本下降，发展多样应用，器件,性能提升,性能,提升,应用性能,信号，毫米波（millimeter wave）是指波长在1毫米到10毫米之间的电磁波。相比于传统的低频（如射频和微波）通信技术，毫米波通信技术具有许多优势，因此在近年来得到了广泛的关注和应用。首先，毫米波通信技术具有更大的带宽。由于波长较短，毫米波信号具有更高的频率，因此可以提供更大的频带宽度。这意味着在同样的时间内，毫米波通信可以传输更多的数据。这对于现代的高...

  2023-11-18 20:21:00行业信息器件 性能提升 性能

• 北理工在室温运行中波红外探测器研究方面取得突破性进展

  

  北理工在室温运行中波红外探测器研究方面取得突破性进展，进展,运行,北理工,辐射,器件,结构，近年来，红外探测技术在军事、安防、医学、环境监测等领域中的应用越来越广泛。然而，传统的红外探测器往往需要低温环境才能正常工作，这限制了其在实际应用中的便利性和成本效益。为了克服这一问题，北理工的科研团队在室温运行中波红外探测器研究方面取得了突破性进展。传统的红外探测器主要依赖于热电效应、光电效应或者热释电效应来实现红外辐射的探测。这些方法在室温下往往...

  2023-11-18 20:21:00行业信息进展 运行 北理工

• 全球第一个基于二维半导体材料的内存处理器

  

  全球第一个基于二维半导体材料的内存处理器，内存,二维,处理器,器件,性能,研发，全球第一个基于二维半导体材料的FDS6982AS内存处理器是一项具有重大意义的创新。二维半导体材料是一种具有特殊结构的材料，可以在纳米尺度上实现高度集成的电子器件。与传统的三维半导体材料相比，二维半导体材料具有更好的电子传输性能和更小的功耗。内存处理器是一种集成了内存和处理器功能的电子器件。传统的内存处理器通常使用三维半导体材料，如硅。然而，随着科技的不断发展，...

  2023-11-18 20:19:00行业信息内存 二维 处理器

• 光耦仿真器简介和优势

  

  光耦仿真器简介和优势，仿真器,参数,接收器,设计方案,耦合,器件，光耦仿真器是一种用于模拟光耦合器件的工具，它可以帮助工程师在设计和开发光耦合器件时进行性能评估和优化。光耦合器件是一种将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的器件，常用于光通信、光传感和光电子设备中。光耦合器件通常由IRF6216TRPBF光发射器、光接收器和光耦合介质组成。光发射器将电信号转换为光信号，并将其耦合到光耦合介质中；光接收器将光信号转换为电信号，并输出到外部...

  2023-11-09 10:44:00行业信息仿真器 参数 接收器

• 直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试

  

  直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试，测试,性能测试,常见,参数,可靠性,器件，宽禁带半导体材料及功率半导体器件是现代电子技术中非常重要的组成部分。它们在电力电子、通信、光电子等领域中都有广泛的应用。在这篇直播回顾中，我们将回顾一些关于宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试的基本知识。首先，我们来看一下宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料是指带隙较大的半导体材料，其带隙一般大于2电子伏特。这种材料具有较高的电子迁移率和较低的电子密...

  2023-11-09 10:38:00行业信息测试 性能测试 常见

• 氮化镓(GaN)功率器件技术解析

  

  氮化镓(GaN)功率器件技术解析，技术解析,器件,能力,传输,用于,高频，氮化镓（GaN）功率器件是一种新兴的EPF6016AQC208-3半导体功率器件技术，具有很高的电子迁移率、较大的电子饱和漂移速度和较高的击穿场强等优点。本文将详细解析氮化镓功率器件的原理、结构、性能以及应用。一、氮化镓功率器件的原理氮化镓功率器件是基于氮化镓材料的半导体器件。氮化镓材料具有较大的能隙（3.4 eV），使其具有较高的耐压能力和较低的漏电流。在氮化镓材料...

  2023-11-09 10:37:00行业信息技术解析 器件 能力

• Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

  

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件，支持,定位,推出,高功率,封装,器件，加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN? FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOL...

  2023-11-09 10:36:00行业信息支持 定位 推出

• 垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

  

  垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体，器件,能力,高功率,密度,频率,功率密度，垂直GaN功率器件是一种新型的SN75240PWR功率半导体器件，它具有比传统功率半导体器件更高的功率密度、更高的开关频率和更低的导通和开关损耗。它的出现彻底改变了功率半导体器件的发展路径，为电力电子应用带来了巨大的潜力。传统的功率半导体器件主要有硅功率MOSFET和IGBT。然而，由于硅的限制，这些器件在高功率密度和高开关频率应用中存在一些局限性。垂直GaN功...

  2023-10-30 13:13:00行业信息器件 能力 高功率

• 直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试

  

  直播回顾 | 宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试，测试,性能测试,常见,参数,可靠性,器件，宽禁带半导体材料及功率半导体器件是现代电子技术中非常重要的组成部分。它们在电力电子、通信、光电子等领域中都有广泛的应用。在这篇直播回顾中，我们将回顾一些关于宽禁带半导体材料及功率半导体器件测试的基本知识。首先，我们来看一下宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料是指带隙较大的半导体材料，其带隙一般大于2电子伏特。这种材料具有较高的电子迁移率和较低的电子密...

  2023-11-09 10:38:00行业信息测试 性能测试 常见

• 氮化镓(GaN)功率器件技术解析

  

  氮化镓(GaN)功率器件技术解析，技术解析,器件,能力,传输,用于,高频，氮化镓（GaN）功率器件是一种新兴的EPF6016AQC208-3半导体功率器件技术，具有很高的电子迁移率、较大的电子饱和漂移速度和较高的击穿场强等优点。本文将详细解析氮化镓功率器件的原理、结构、性能以及应用。一、氮化镓功率器件的原理氮化镓功率器件是基于氮化镓材料的半导体器件。氮化镓材料具有较大的能隙（3.4 eV），使其具有较高的耐压能力和较低的漏电流。在氮化镓材料...

  2023-11-09 10:37:00行业信息技术解析 器件 能力

• Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

  

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件，支持,定位,推出,高功率,封装,器件，加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN? FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOL...

  2023-11-09 10:36:00行业信息支持 定位 推出

• 垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

  

  垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体，器件,能力,高功率,密度,频率,功率密度，垂直GaN功率器件是一种新型的SN75240PWR功率半导体器件，它具有比传统功率半导体器件更高的功率密度、更高的开关频率和更低的导通和开关损耗。它的出现彻底改变了功率半导体器件的发展路径，为电力电子应用带来了巨大的潜力。传统的功率半导体器件主要有硅功率MOSFET和IGBT。然而，由于硅的限制，这些器件在高功率密度和高开关频率应用中存在一些局限性。垂直GaN功...

  2023-10-30 13:13:00行业信息器件 能力 高功率