首页 / 行业
集成电路微型化发展,ESD防护需跟上
2023-12-01 10:17:00
随着科技的发展,集成电路(Integrated Circuit, IC)的微型化已经成为一个不可逆转的趋势。微型化带来了许多好处,如更高的性能、更低的功耗、更小的体积和更低的成本。然而,微型化也带来了一系列新的问题,其中之一就是静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)对集成电路的损害。
ESD是指当两个物体之间发生电荷差异时,电荷会通过空气或其他介质以电流形式传递,从而引起静电放电。这种放电可能会对集成电路产生破坏性的影响,导致电路失效或性能下降。在微型化的集成电路中,电路元件之间的距离变得更近,电压和电流也更小,因此对ESD的防护要求更高。
为了跟上集成电路微型化发展带来的ESD防护需求,以下是一些重要的解决方案和技术:
1、ESD设计和布局:在集成电路设计和布局阶段,需要考虑ESD防护的因素。例如,在电路布局中合理安排引脚和连线的位置,以减少ESD引起的电流路径。同时,通过合理的电源和地线设计,以及适当的屏蔽和隔离措施,可以降低ESD对电路的影响。
2、器件级ESD保护:集成电路中的每个器件都应具备ESD保护功能。常用的器件级ESD保护包括IRLR8726TRPBF二极管、MOSFET和电阻等。这些器件可以被设计成具有低电压、高电流容量和快速响应的特性,以有效地吸收和分散ESD放电的能量。
3、系统级ESD保护:在集成电路的系统级别上,可以采用多种方法来增强ESD防护能力。例如,使用ESD保护芯片(ESD Protection Device, ESDP)来提供更高的ESD容忍度。ESDP是一种专门设计用于防护集成电路的芯片,可以在输入/输出(I/O)引脚和电源线之间提供额外的ESD保护。此外,还可以使用电源滤波器、电源稳压器和地线设计等技术来降低ESD对电路的影响。
4、ESD测试和认证:为了确保集成电路的ESD防护能力达到要求,需要进行ESD测试和认证。这些测试可以用来评估电路的ESD容忍度,并检查防护措施的有效性。常见的ESD测试方法包括Human Body Model(HBM)、Charged Device Model(CDM)和Machine Model(MM)等。
总的来说,随着集成电路微型化的发展,ESD防护需求也在不断增加。为了跟上这一趋势,需要在设计和布局阶段考虑ESD防护因素,采用器件级和系统级的ESD保护措施,并进行相关的ESD测试和认证。只有综合运用这些解决方案和技术,才能有效地保护集成电路免受静电放电的损害。
最新内容
手机 |
相关内容
指向更快更节能的下一代人工智能,类
指向更快更节能的下一代人工智能,类脑芯片推动强智能应用落地,芯片,智能,动强,人工智能,模拟,能源,随着人工智能技术的迅速发展,人们Azure AI 基础设施强势升级!进一步
Azure AI 基础设施强势升级!进一步扩展人工智能能力,扩展,能力,人工智能,升级,开发者,模型,Azure AI 基础设施是微软旗下的云计算平可编程逻辑芯片容易烧坏的原因
可编程逻辑芯片容易烧坏的原因,烧坏,芯片,原因,单元,温度,编程,可编程逻辑芯片(Programmable Logic Device,简称PLD)是一种集成电路芯Wolfspeed采用TOLL封装的碳化硅MOS
Wolfspeed采用TOLL封装的碳化硅MOSFET产品介绍,产品介绍,封装,采用,产品,器件,热性,Wolfspeed是一家领先的碳化硅(SiC)功率半导体解决如何做出一颗好芯片,芯片测试座功不
如何做出一颗好芯片,芯片测试座功不可没,芯片,试座,验证,数据传输,封装,测试,要做出一颗好的INA194AIDBVR芯片,芯片测试座是至关重要电容器的作用及原理
电容器的作用及原理,作用,运动,流出,器件,充电,信号,LD1117DT33CTR电容器是一种能够存储电荷的器件,其主要作用是在电路中提供电荷的SiC晶圆划片工艺:速度提升100倍,芯片
SiC晶圆划片工艺:速度提升100倍,芯片增加13%,提升,芯片,刻蚀,缺陷,方法,离子束,SiC(碳化硅)晶圆划片工艺是制备SiC芯片的关键步骤之一。自主移动机器人加入芯片制造,高端芯
自主移动机器人加入芯片制造,高端芯片量产将实现?,芯片,移动机器人,自主,数据,实时,传感器,在当前信息技术快速发展的背景下,IRLR120NT