SiC晶圆划片工艺：速度提升100倍，芯片增加13%

SiC（碳化硅）晶圆划片工艺是制备SiC芯片的关键步骤之一。在该工艺中，SiC晶圆被划分成较小的DRV8800RTYR芯片，以便后续的加工和封装。近年来，研究人员提出了一种新的SiC晶圆划片工艺，其速度提升了100倍，并且成功地增加了芯片的产量。

传统的SiC晶圆划片工艺通常使用金刚石切割刀片，这种方法由于硬度较高，切割速度较慢，且易引起晶圆表面的裂纹和缺陷。为了克服这些问题，研究人员采用了新的工艺方法。

新的SiC晶圆划片工艺使用了一种高能离子束刻蚀（IBE）技术。该技术利用离子束在晶圆表面刻蚀，将其切割成较小的芯片。相比于传统的切割方法，IBE技术具有以下几个优势：

1、速度提升：IBE技术可以在较短的时间内完成SiC晶圆的划片，从而将切割速度提升了100倍。这样可以大大提高生产效率和产量。

2、减少缺陷：IBE技术不需要直接接触晶圆表面，因此可以减少划片过程中产生的裂纹和缺陷。这有助于提高SiC芯片的质量和可靠性。

3、精确控制：IBE技术可以通过调整离子束的能量和角度来控制切割深度和形状，从而实现对芯片尺寸和形状的精确控制。这对于生产具有特定要求的芯片非常重要。

通过采用新的SiC晶圆划片工艺，研究人员成功地将芯片的产量提高了13%。这是由于新工艺的高效性和稳定性，以及对晶圆表面缺陷的减少。这对于满足不断增长的SiC芯片需求非常重要，尤其是在电力电子、汽车电子和新能源领域。

据介绍，三星钻石工业的SnB工艺已经在玻璃和液晶面板的切割中应用多年，尤其是在液晶面板领域的份额特别高，总共供应了约6000台切割设备。

SnB工艺从字面上看，包括两个过程：划线Scribe和裂片Break。在“划线”工艺中，通常使用划线砂轮的刀具在SiC晶圆表面上进行浅切割，以产生分离芯片所需的裂纹。然后，在“断裂”工艺中，将SiC晶圆翻转并从划线的正后方施加应力，以使SiC芯片沿着划线实现分离。

据该公司介绍，采用SnB工艺，划线轮刀片对SiC晶圆（厚度为100-350μm）的切入深度不到1μm。

总结起来，新的SiC晶圆划片工艺通过使用IBE技术，实现了切割速度的提升和芯片产量的增加。这将推动SiC芯片产业的发展，并为各个领域的应用提供更多高质量的SiC芯片。

提升芯片刻蚀缺陷方法离子束

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