SiC晶圆划片工艺：速度提升100倍，芯片增加13%，提升,芯片,刻蚀,缺陷,方法,离子束，SiC（碳化硅）晶圆划片工艺是制备SiC芯片的关键步骤之一。在该工艺中，SiC晶圆被划分成较小的DRV8800RTYR芯片，以便后续的加工和封装。近年来，研究人员提出了一种新的SiC晶圆划片工艺，其速度提升了100倍，并且成功地增加了芯片的产量。传统的SiC晶圆划片工艺通常使用金刚石切割刀片，这种方法由于硬度较高，切割速度较慢，且易引起晶圆表面的裂纹...
2023-12-01 10:15:00行业信息提升 芯片 刻蚀
