高功率

• 什么是射频衰减器，射频衰减器的组成、特点、原理、应用分类、操作规程及发展趋势

  

  什么是射频衰减器，射频衰减器的组成、特点、原理、应用分类、操作规程及发展趋势，分类,发展趋势,光纤,信号,高功率,衰减，射频衰减器（RF Attenuator）是一种用于控制射频信号强度的电子设备。它通过减小射频信号的幅度来实现信号衰减。射频衰减器通常由电阻、变压器、PIN二极管、TPS2812DR可变电容器等组成。下面将详细介绍射频衰减器的组成、特点、原理、应用分类、操作规程及发展趋势。一、射频衰减器的组成射频衰减器的主要组成部分包括电阻...

  2023-11-18 20:17:00电子技术分类 发展趋势 光纤

• Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

  

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件，支持,定位,推出,高功率,封装,器件，加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN? FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOL...

  2023-11-09 10:36:00行业信息支持 定位 推出

• 垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

  

  垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体，器件,能力,高功率,密度,频率,功率密度，垂直GaN功率器件是一种新型的SN75240PWR功率半导体器件，它具有比传统功率半导体器件更高的功率密度、更高的开关频率和更低的导通和开关损耗。它的出现彻底改变了功率半导体器件的发展路径，为电力电子应用带来了巨大的潜力。传统的功率半导体器件主要有硅功率MOSFET和IGBT。然而，由于硅的限制，这些器件在高功率密度和高开关频率应用中存在一些局限性。垂直GaN功...

  2023-10-30 13:13:00行业信息器件 能力 高功率

• 如何选择氮化镓芯片

  

  如何选择氮化镓芯片，芯片,稳定性,高功率,系统,频率,选择，氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，具有高电子迁移率、高热导率和高击穿电场强度等优点，可以应用于高功率、高频率和高温环境下的电子器件中。它在功率电子、射频和微波器件等领域具有广泛的应用前景。选择氮化镓芯片时，需要考虑以下几个因素：1、功能需求：根据具体的应用场景和需求，确定需要的功能和性能指标。例如，BSN20功率放大器需要具有高功率输出能力，射频开关需要具有快速切换速...

  2023-10-30 13:05:00行业信息芯片 稳定性 高功率