N沟TrenchFET功率MOSFET器件及FlexBank结构

ds2761上提供eeprom，可锁定eeprom和sram，用作电池信息存储。

eeprom以真正的非易失性的存储器的方式保存电池数据，它受电池严重耗尽，突然短路或esd事件的影响。可锁定eeprom，在锁定以提供不变电池数据附加保险时，就变成rom。

sram为临时数据提供成本效率的存储解决方案。五种n沟trenchfet功率mosfet器件，目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。

器件包括有两个芯片大小的功率mosfet，每占位面积有低的导通电阻。

制造商:xilinx 产品种类:fpga - 现场可编程门阵列 rohs: 详细信息 系列:xc2s50 逻辑元件数量:1728 le 自适应逻辑模块 - alm:768 alm 嵌入式内存:32 kbit 输入/输出端数量:176 i/o 工作电源电压:2.5 v 最小工作温度:0 c 最大工作温度:+ 85 c 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:fbga-256 商标:xilinx 栅极数量:50000 分布式ram:24576 bit 内嵌式块ram - ebr:32 kbit 最大工作频率:200 mhz 湿度敏感性:yes 逻辑数组块数量——lab:384 lab 产品类型:fpga - field programmable gate array 工厂包装数量:90 子类别:programmable logic ics 商标名:spartan

64m位闪存器件，用在手提设备和手机市场，支持几种不同的吞吐量，消耗比其它产品更低的功率。

am29bds640g是可以和8m位或16m位sram封在一起的多片式封装(mcp)，能使amd客户设计出更小更轻的终端产品。该器件还有高性能突发模式接口和amd同时读/写结构以及flexbank结构。

amd的闪存器件支持用在高档手机和其它手提设备的54mhz的微处理器，随机存取时间为70ns,同步存取时间为13.5ns。

对于尽可能低的低导通电阻应用，siliconix公司提供了微小型的si8900edb,4.5v栅驱动时导通电阻只有24 m欧姆，二平均占位面积为8.07 mm2.

(素材

锁定数据附加器件结构

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