VN5016AJ-E是一种采用STMicroelectronics VIPower技术制造的单片器件

输出电流：40A 3.0V CMOS兼容输入 电流检测禁用 比例负载电流检测 欠压关断 过压钳位 热关断 电流和功率限制
非常低的备用电流，接地和VCC损耗保护，非常低的电磁敏感性，优化的电磁发射，符合2002/95/EC欧洲指令的反向电池保护
说明VN5016AJ-E是一种采用STMicroelectronics VIPower技术制造的单片器件。它用于驱动单侧接地的电阻或电感负载
该装置集成了一个模拟电流传感器，当CS U DIS被驱动到低电平或左开时，该电流传感器输出与负载电流成比例的电流（根据已知比率）。当CS_DIS驱动高时，电流检测管脚处于高阻抗状态。输出电流限制在过载情况下保护装置。在长过载持续时间的情况下，该装置将耗散功率限制在安全水平，直至热关机干预。自动重启的热关机允许设备在故障状态消失后立即恢复正常运行。

方块图

电流和电压惯例

电流和电压惯例
应用示意图

反电池接地保护网络
解决方案1：接地线中的电阻器（仅限RGND）。这可以用于任何类型的负载。
以下是关于如何确定RGND电阻器尺寸的说明。
1）RGND≤600mV/（最大（开）。
2）的VCC（/的VCC）/（-的）在那里-是直流反向接地引脚电流，可以在设备的数据表的绝对最大额定值部分找到。
RGND中的功耗（当VCC<0时：在反向电池情况下）为：
PD=（-VCC）/RGND2
这个电阻可以在几个不同的HSD之间共享。请注意，这个电阻值应该用公式（1）计算，其中，（on）max变成不同设备最大通态电流的总和。
请注意，如果微处理器接地不被设备接地共用，则RGND将在输入阈值和状态输出值中产生移位（is（on）max*RGND）。在多个高端驱动程序共享同一个RGND的情况下，此移位将根据设备的数量而变化。
如果计算的功耗导致一个大电阻或多个设备必须共享同一个电阻，则ST建议使用解决方案2（见下文）。
解决方案2：接地线中的二极管（DGND）。
如果装置驱动感应负载，则应将电阻器（R=1kΩ）并联至DGND。地面
这个小信号二极管可以安全地在几个不同的HSD之间共享。同样在这种情况下，如果微处理器接地与设备接地不共用，则接地网络的存在将在输入阈值和状态输出值中产生移位（j600mV）。如果多个HSD共享同一个二极管/电阻器网络，则此偏移不会改变。
甩负荷保护
如果负载转储峰值电压超过VCC最大直流额定值，则需要D（电压瞬变抑制器）。如果设备在VCC线上受到的瞬态大于ISO T/R 7637/1表中所示的瞬态，则同样适用。µldC I/O保护：
如果使用接地保护网络并且VCC线路上存在负瞬态，则控制引脚将被拉为负。ST建议在线路中插入一个电阻器（Rprot），以防止μC I/O引脚锁定。
这些电阻的值是μC的泄漏电流和HSD I/Os（输入电平兼容性）要求的电流（锁存限制为μC I/Os）之间的折衷。
-VCCpeak/Ilatchup≤Rprot≤（VOHμC-VIH-VGND）/IIHmax计算示例：
对于VCCpeak=-100V且Ilatchup≥20mA；VOHμC≥4.5V 5kΩ≤R≤65kΩ。保护
推荐的Rvalue为10kΩ。保护

器件输出装置计算状态负载

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