BQ4011/BQ4011Y是32Kx8非易失性SRAM

特征

➤断电情况下的数据保留

➤通电/断电循环期间的自动写保护

➤工业标准28针32K x 8针

➤常规SRAM操作；无限写循环

➤断电情况下的10年最低数据保留期

➤电池内部隔离，直到通电

一般说明

CMOS bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。

控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当VCC超出允许范围时，SRAM无条件写保护，以防止意外写操作。

此时，打开积分能量源以维持存储器，直到VCC恢复有效。

bq4011使用极低待机电流的CMOS SRAM，再加上一个小型的锂币电池，以提供非易失性，而无需长的写入周期和与EEPROM相关的写入周期限制。

bq4011不需要外部电路，插座与行业标准SRAM和大多数EPROM和EEPROM兼容。

功能描述

当电源有效时，bq4011作为标准CMOS SRAM工作。在断电和通电循环期间，bq4011充当非易失性存储器，自动保护和保存存储器内容。

掉电/上电控制电路持续监测VCC电源的电源故障检测阈值VPFD。bq4011显示器的VPFD=4.62V，通常用于电源公差为5%的系统。bq4011Y显示器的VPFD=4.37V，通常用于电源公差为10%的系统。

当VCC低于VPFD阈值时，SRAM自动写入保护数据。所有输出变为高阻抗，所有输入都被视为“无所谓”。如果在检测到电源故障时正在进行有效访问，则内存循环将继续完成。如果内存周期未能在时间tWPT内终止，则发生写保护。

当VCC经过VPFD并接近3V时，控制电路切换到内部锂备份电源，该电源提供数据保留，直到应用有效的VCC。

当VCC恢复到高于内部备用电池电压的水平时，电源切换回VCC。VCC在超过VPFD阈值后，写保护将持续一段时间tCER（最大120ms），以允许处理器稳定。正常的内存操作可能会在这段时间后恢复。

bq4011使用的内置币形电池具有极长的保质期，在没有系统电源的情况下，可提供超过10年的数据保存。

从BenchmarkQ发货时，集成锂电池与存储器电隔离。（这种情况下的自放电率约为每年0.5%）首次使用VCC后，这种隔离被破坏，锂备用电池在随后的断电时提供数据保留。

注意：如果超过绝对最大额定值，可能会导致永久性设备损坏。功能操作应限于本数据表中详细说明的推荐直流操作条件。长时间暴露在超出操作极限的条件下可能会影响设备的可靠性。

笔记：

1、我们被高举阅读周期。

2、连续选择设备：CE=OE=VIL。

3、地址在CE转换低之前有效或与之一致。

4、OE=中档。

5、 连续选择设备：CE=VIL。

笔记：

1、 写作结束于CE上升和我们上升的早期转变。

2、 低CE和低WE重叠时发生写入。从后面的转换开始写我们都在走下坡路。

3、 必须满足tWR1或tWR2。

4、 必须满足tDH1或tDH2。

5、 如果CE在我们走低的同时走低，或者在我们走低之后，输出保持在高阻抗状态。

注：

1、CE或我们在地址转换过程中必须处于高位。

2、 由于在此期间I/O可能处于激活状态（OE低），因此不得应用与输出相反极性的数据输入信号。

3、 如果OE高，则I/O引脚保持高阻抗状态。

4、 必须满足tWR1或tWR2。

5、 必须满足tDH1或tDH2。

注：

1、典型值表示TA=25°C，VCC=5V时的运行。

2、 在第一次使用VCC之前，蓄电池与电路断开。tDR是首次向设备供电时，在无电启动的情况下的累积时间。

警告：在电池备份模式下，低于绝对最大额定值-0.3V的负负未及点可能会影响数据完整性。

*注：工业温度范围内仅提供10%电源（“Y”）版本；有关速度等级可用性，请与工厂联系。

隔离阈值转换恢复操作写保护

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