写保护

• W25Q64FV 3V 64M位串行闪存，带双/四SPI和QPI

  

  W25Q64FV 3V 64M位串行闪存，带双/四SPI和QPI，闪存,写保护,数据,时钟,指令,状态，一般说明W25Q64FV（64M位）串行闪存为空间、插脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远远超过了普通的串行闪存设备。它们非常适合代码隐藏到RAM，直接从双/四SPI（XIP）执行代码，并存储语音、文本和数据。该装置在单个2.7V至3.6V电源上运行，电流消耗低至4mA，断电时为1微安。所有设备均采用节省空间的包...

  2023-06-08 02:02:00电子技术闪存 写保护 数据

• 带双/四SPI和QPI的3V 128M位串行闪存

  

  带双/四SPI和QPI的3V 128M位串行闪存，闪存,时钟,数据,写保护,指令,状态，W25Q128FV（128M位）串行闪存为空间、管脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。它们非常适合对ram进行代码跟踪，直接从dual/quad spi（xip）执行代码，并存储语音、文本和数据。该设备在一个2.7V至3.6V的电源上工作，电流消耗低至4MA激活，1微A断电。所有设备都以节省空间的软件包...

  2023-06-08 01:49:00电子技术闪存 时钟 数据

• BQ4011/BQ4011Y是32Kx8非易失性SRAM

  

  BQ4011/BQ4011Y是32Kx8非易失性SRAM，隔离,阈值,转换,恢复,操作,写保护，特征断电情况下的数据保留通电/断电循环期间的自动写保护工业标准28针32K x 8针常规SRAM操作；无限写循环断电情况下的10年最低数据保留期电池内部隔离，直到通电一般说明CMOS bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持...

  2023-06-07 23:36:00电子技术隔离 阈值 转换

• BQ2205LY是3.3v SRAM电源监控与切换控制器

  

  BQ2205LY是3.3v SRAM电源监控与切换控制器，控制器,写保护,期间,引脚,输出,输入，特征用于SRAM非易失性控制的电源监控和切换输入解码器允许控制1组或2组SRAM写保护控制 3V一次电池输入3.3-V操作系统上电复位的复位输出小于20 ns芯片启用传播延迟16导联小型TSSOP封装应用 NVSRAM模块销售点系统传真机、打印机和复印机互联网设备服务器医疗器械和工业产品说明具有复位功能的CMOS bq2205 SRAM非易失性...

  2023-06-07 23:23:00电子技术控制器 写保护 期间