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氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片国内三巨头

2023-02-05 12:48:00

氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片国内三巨头

氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一,氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。

氮化镓相比传统硅基半导体,有着更加出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。能够带来低损耗和高开关频率:低损耗可降低导阻带来的发热,高开关频率可减小变压器和电容的体积,有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升频率,降低驱动损耗。

氮化镓(GaN)为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时,GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类,传导损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损耗,GaN晶体管(取代旧的硅技术)的发展一直受到电力电子行业的关注。

氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗

和硅芯片相比:

1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一

2、大小是硅基芯片的四分之一

3、重量是硅基芯片的四分之一

4、并且比基于硅的解决方案便宜

然而,虽然GaN似乎是一个优越的选择,但在一段时间以内它不会在所有应用中取代硅片。原因如下:

1、需要克服的第一个障碍是GaN晶体管的耗尽性质。有效功率和逻辑电路需要常开和常关两种类型的晶体管。虽然可以生产常关型GaN晶体管,但它们要么依赖于典型的硅MOSFET,要么需要特殊的附加层,这使得它们难以收缩。不能以与当前硅晶体管相同的规模生产GaN晶体管也意味着它们在CPU和其他微控制器中使用是不实际的。

2、GaN晶体管的第二个问题是,用于制造增强型GaN晶体管的唯一已知方法(在写入时)是使用获得专利的松下方法来使用额外的AlGaN层。这意味着涉及这种晶体管类型的任何创新将依赖于Panasonic,直到可以研究其他方法。

自21世纪初以来,GaN器件的工作已经出现,但GaN晶体管仍处于起步阶段。毫无疑问,他们将在未来十年内取代电力应用中的硅晶体管,但它们仍远未用于数据处理应用。

氮化镓有哪些好处

氮化镓的出现,降低了产品成本。拥有元件数量少,易于调试、可以高频工作实现高转换效率等的优势,搭载氮化镓的充电器可以简化设计,降低氮化镓快充的开发难度,助力实现小体积高效率的氮化镓快充设计。氮化镓内置多种功能,可以大幅度减少产品的设计复杂程度和减少多余器件的使用,在提高空间利用率的同时降低了生产难度,也有助于降低成本,加快出货。

氮化镓龙国内三大企业

近年来第三代半导体的性价比优势逐渐显现,正在打开应用市场:SiC元件已用作汽车逆变器,GaN快速充电器也大量上市

1、闻泰科技:龙头

闻泰科技是全球领先的集研发设计和生产制造于一体的基础半导体、光学/显示模组、产品集成企业,主要为全球客户提供半导体功率器件、模拟芯片的研发设计、晶圆制造和封装测试;光学模组和显示模组的研发制造;手机、平板、笔电、服务器、IoT、汽车电子等终端产品研发制造服务。

闻泰科技发布2022年第三季度财报,实现营业收入135.89亿元,同比增长-2.07%,归母净利润7.62亿,同比-5.83%;每股收益为0.62元。

2、士兰微:龙头

杭州士兰微电子股份有限公司(600460),是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。3、捷捷微电:龙头

公司主要是从事功率半导体分立器件的研发、设计、生产和销售。

公司目前的股价是23.2元,总市值为170个亿,市盈率为42倍。

公司的产品,横跨功率半导体器件、芯片和封测三大领域,

来源:知乎(Datasheet)、iWALK爱沃可、贤集网

芯片器件国内氮化

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