安世半导体再获功率器件行业大奖！

由世纪电源主办的第十三届亚洲电源技术发展论坛在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在论坛同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会评选中，Nexperia（安世半导体）凭借高效率、高可靠性 GaN（氮化镓）器件在市场的不俗表现与强大的国际竞争力，突出重围，成功斩获「国际功率器件行业卓越奖」大奖。

奖项介绍：2022 年度电源行业配套品牌奖项共有150家左右的企业进行申请，世纪电源网通过客观、真实、公开的评选方式，经过大众投票与专业的评委组，筛选出实力强大、具有较高市场影响力的杰出企业进行表彰，真正助力电源行业的蓬勃发展。

GaN（氮化镓）功率器件在各应用中不仅可以提供出色性能，还能满足市场对主流技术的可靠性、耐用性和可制造性的期望，服务于多个市场细分领域的广泛应用。

△ Nexperia 推出氮化镓功率器件 (GaN FET)

Nexperia（安世半导体）一直投资和研发自有GaN（氮化镓）工艺与创新型封装技术。通过逐年的经验积累和技术深入，Nexperia（安世半导体）现已采用成熟的大规模生产技术，在自有工厂量产 GaN（氮化镓）器件，经过验证能够满足 AEC-Q101 器件认证的严苛可靠性要求。新一代的安世半导体氮化镓（HEMTs），提供业界领先的低导通电阻，更高的开关稳定性，可显著提升动态性能。

安世半导体不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET），提供从 2 kW 到 250 kW 的 GaN 应用方案并推向更高的功率水平。此外，公司持续创新升级 MOSFET 产品，对于客户而言使用高效的功率半导体比以往任何时候都重要，安世半导体的产品将为节能降耗做出更多贡献，推动早日实现“碳中和”的目标。

审核编辑：汤梓红

器件行业论坛高效率

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