首页 / 行业
Nitride成功开发R/G/B三种可见光范围内的Micro LED
2022-10-27 10:40:00
10月25日,日本技术开发商Nitride Semiconductors宣布成功开发了R/G/B三种可见光范围内的Micro LED,红绿蓝光的波长分别是620nm、510nm、450nm,并基于此推出结合Micro UV LED的试用套件。
据LEDinside了解,Nitride于2018年成功开发尺寸为12μm x 24μm、波长为385nm的高效Micro UV LED,并在2021年先后在英国、德国、法国、美国等地区获得专利。Nitride利用该专利技术激发红、绿、蓝荧光粉来制备全彩显示屏,并成功将Micro UV LED芯片微缩至12μm x 24μm,芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离皆为5μm,可用于Micro LED显示器上,有望应用到下一代AR眼镜和智能眼镜等可穿戴设备中。
彼时,Nitride表示,这项技术能够降低显示器用Micro UV LED芯片的成本,Nitride正在开发大规模量产化的技术,现已向用户提供样品。如今,Nirtide在此基础上新增了可见光范围内的Micro LED,全彩化Micro LED开发进程提速。
红、绿、蓝、紫外Micro LED发射波长数据(48μm×48μm)
Nitride介绍,为了方便用户对比每种颜色的特点,公司制备了一个Micro RGB+UV LED芯片试用套件,该套件由四种波长的Micro LED组成(四合一套件),包括红、绿、蓝、紫外光。Nitride表示,采用Micro RGB+UV LED套件,Micro LED显示器开发商可以尝试不同波长和尺寸的芯片,借此选出适用于最适合量产Micro LED显示器的芯片。
红光Micro LED芯片发光
值得关注的是,Micro LED的全彩化一直以来都是行业性难题,尤其是红光LED的生产和效率问题,不过GaN材料被视作能够解决红光Micro LED性能问题并助力实现全彩化的佳选。近几年来,首尔半导体、Porotech、晶能光电等全球厂商积极通过产学研合作,借力GaN材料突破了红光LED的问题,获得实质性进展,Nitride同样如此。
24μm×48μm红光Micro LED芯片
此次Nitride正是利用InGaN代替GaAs或GaP等传统材料,实现了红光LED的开发,此举又一次验证了GaN材料的应用潜力,也意味着Micro LED的全彩化瓶颈正在逐步实现突破,量产进度可期。
最新内容
手机 |
相关内容
华为公开半导体芯片专利:可提高三维
华为公开半导体芯片专利:可提高三维存储器的存储密度,专利,存储密度,存储器,芯片,存储单元,调整,华为是全球领先的信息与通信技术解华为或在开发全新海思麒麟芯片,今
华为或在开发全新海思麒麟芯片,今年新机或不能采用此平台,用此,新海,芯片,平台,麒麟,研发,华为是一家全球知名的科技公司,其海思麒麟三种小夜灯电路图详解 小夜灯电路
三种小夜灯电路图详解 小夜灯电路的工作原理, 发光二极管,小夜灯,电路图,时基电路,二极管,小夜灯是一种特定场合使用的照明灯具,它对能在整个音频范围内产生谐波的压控
能在整个音频范围内产生谐波的压控振荡器,电路图,信号处理电子电路图,能在整个音频范围内产生谐波的压控振荡器 能在整个,音频,范可用三种频率信号开关的钟脉冲发生
可用三种频率信号开关的钟脉冲发生器,电路图,信号处理电子电路图,可用三种频率信号开关的钟脉冲发生器 发生器,可用三种频率信号开有三种相位输出的移相器
有三种相位输出的移相器,电路图,信号处理电子电路图,有三种相位输出的移相器 移相器,有三种相位输出的移相器美国无线电公司生产的CA555等效电
美国无线电公司生产的CA555等效电路图,电路图,555集成电路大全,美国无线电公司生产的CA555等效电路图 电路图,美国无线电公司生产的可在低频~5MHZ范围内振荡的高频电
可在低频~5MHZ范围内振荡的高频电路,电路图,信号处理电子电路图,可在低频~5MHZ范围内振荡的高频电路 高频电路,可在低频~5MHZ范围内