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描述：

LMG3526R030是具有集成驱动器和保护功能的 LMG3526R030 GaN FET 针对开关模式电源转换器，使设计人员能够实现更高水平的功率密度和效率。

LMG3526R030 集成了一个AS431ANTR-E1硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调栅极驱动强度允许控制从 20 V/ns 到 150 V/ns 的转换率，这可用于主动控制 EMI 和优化开关性能。

高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告。报告的故障包括过温、过流和 UVLO 监控。零电压检测 (ZVD) 功能可在实现零电压开关时从 ZVD 引脚提供脉冲输出。

特性：

●具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET

○集成高精度栅极偏置电压

○200V/ns FET 释抑

○2MHz 开关频率

○20V/ns 至 150V/ns 转换速率，用于优化开关性能和 EMI 缓解

○采用 7.5V 至 18V 电源供电

●强大的保护

○响应时间小于 100ns 的逐周期过流和闭锁短路保护

○针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护

●高级电源管理

○数字温度PWM输出

●顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和热路径分开，以实现最低的功率环路电感

●有助于软开关转换器的零电压检测功能

应用：

●开关模式电源转换器

●商户网络和服务器PSU

●商用电信整流器

●太阳能逆变器和工业电机驱动器

●不间断电源

参数：

VDS（最大值）(V)：650

RDS(on) (mΩ)：30

内径（最大）(A)：55

◆LMG3526R030简化框图

◆LMG3526R030功能框图

检测集成驱动器用于优化温度

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