氮化镓芯片的应用有哪些？

氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。然而，与AD693AD光电器件相比，以硅基和碳化硅基为基础的氮化邈射频和功率器件成本较低，是目前渗透率提高的主流方向。但是，如果你想让功率翻倍，那么GaN是你的首选。

随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度等特点。与第一代硅基半导体和第二代砷化邈相比。SiC和GaN该设备具有更大的功率和更好的频率特性，用于代表物质制造。

氮化镓的能隙很宽，是3.4电子伏特，可用于大功率、高速光电元件，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

首先用一张图片来代表三代半导体的材料特性，以及对功率器件和系统的影响：

让我们一起来看一下氮化镓的特点：

1、击穿电压：材料本身抗压能力很高，但是目前比较完善的Si基GaN器件耐压普遍在650V以内，决定了短时间内应用于低功率领域，除非技术突破。

2、GAN最好的优点是开关频率极高。

GaN它可以解决更高频率和更高功率的问题。与硅器件相比，它可以在尺寸和能耗减半的情况下运输相同的功率，从而提高功率，有利于设计师在不增加设计空间的情况下满足更高的功率要求。

更高的频率交换意味着GaN可以一次转换更广泛的功率，减少复杂设计中的功率转换。因为每次功率转换都会形成新的能耗，这对于很多高压应用来说是一个明显的优势。基于GaN的新电源和转换系统功率损失较低，产生的热量较少。这些特性尤为重要，因为高温会增加使用成本，影响数据信号，造成机械故障。

氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。数据显示，目前氮化镓半导体器件的渗透率只有0.2%左右，可以大规模发展。目前，氮化镓受到单晶炉产量有限的影响，成本远高于硅基和碳化硅。然而，与光电器件相比，以硅基和碳化硅基为基础的氮化镓射频和功率器件成本较低，是目前渗透率提高的主流方向。

GaN演变还没有完成。未来，GaN将继续扩展到客户电子设备等领域，打造更薄的平板显示器，减少可充电设备的能源浪费。可以说，如果你只需要提高3%或4%的能效，你可以通过很多其他方式来完成。但是，如果你想让功率翻倍，那么GaN是你的首选。

有哪些芯片用于较晚频率器件

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。