光刻机存在哪些误区

1.DUV和EUV限制国内扩产的逻辑被打破了？

光刻机大致分为两类：

1）DUV深紫外光刻：可制备0.13um到28／14／7nm芯片；

2）EUV极紫外光刻机：适用于7nm到5／4／3nm以下芯片。

目前情况下DUV光刻机不限制中国，仍在正常供应，因为供应商主要来自欧洲和荷兰ASML以及日本Nikon.佳能，不直接接受美国禁令，但是EUV目前还没有买到。

回顾光刻机的历史，我们发现：DUV技术由日本和荷兰独立发展：自2006年超越尼康成为全球光刻机领导者以来，其行业领先地位一直保持着。与此同时，由于核心沉浸式技术主要来自台积电，美国在DUV该领域没有统治地位，ASML向中国出货DUV光刻机也不需要美国授权。

EUV从出生起就被美国从资本和技术层面全面控制(与美国一起出生)DUV有本质区别)：1997年EUVLLC由英特尔和美国政府牵头的联盟成立。ASML2007年收购美国Brion，获得光刻技术后，成功开启并购美国光刻企业之路。到目前为止，美国已经开始在美国收购光刻企业。EUV技术渗透ASML。2012年，英特尔.三星.一起买台积电ASML23%的股权获得了ASML光刻机的优先供应权已成为利益共同体。

2.用光刻机制造芯片BA2904FV-E2？

其实光刻只是半导体前道的七个工艺环节(光刻).刻蚀.沉积.离子注入.清洗.氧化.虽然测试中的一个环节是最重要的环节之一，但它不能离开其他六个环节中的任何一个。

集成电路的制造工艺分为“三大四小”工艺:三大(75%):光刻.刻蚀.沉积；四小(25%)：清洗.氧化.检测.离子注入。

光刻一般占整条生产线设备投资的30%，与刻蚀机(25%)一起.PVD／CVD／ALD（25%）并列为三大最重要的前道设备之一，因此不能用光刻机制造芯片。光刻只是芯片制造工艺之一，需要其他六大前道工艺设备的支持，其重要性与光刻机同等重要。

3.中国最紧迫的是制造光刻机？

事实上，目前中国并不缺光刻机，而是缺少其他六类工艺设备（沉积物）.刻蚀.离子注入.清洗.氧化.检测）。

未来，我国半导体将从全外循环转向外循环+内循环的双循环结构。基于半导体是全球深度分工的现实，外循环是团结非美国设备制造商的关键和现实选择。

目前的设备格局是:1)光刻机:欧洲ASML和日本Nikon和Canon垄断；2)蚀刻.沉积.离子注入.清洗.氧化.检测设备:由美国和日本垄断，其中检测设备由美国部门垄断。

因此，在中国半导体扩张的背景下，内外双循环的首要任务是依靠国内和联合欧洲，因此，与大多数人所理解的不同，中国的半导体制造并不缺乏光刻机。

误区欧洲日本循环美国刻蚀

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