内存技术成为存储器的下一代的发展

内存的可靠性取决于耐久性(完整性丧失前的写入周期数)和保留期(数据的可读生存期)。Yu据说非易失性存储器的典型保留标准是85°C保持10年，这可以通过闪存来满足，也可以通过RRAM达到。然而，ADT7473ARQZ存储器市场并非如此RRAM唯一的应用。

当我们考虑我们的智能手机和其他计算机设备时，内存通常不是我们在数据表上看到的第一个功能。通常，处理器会成为焦点，但内存是设备完成能力背后的真正力量。闪存最近主导了内存市场，但随着摩尔定律的发展，它面临着一些扩展问题，导致该行业在其他地方寻找内存解决方案。惠普（惠普）“机器”宣传架构“忆阻器”这个词又回到了记忆的聚光灯下。这种技术，也被称为电阻随机存取存储器（RRAM），为了成为存储器的下一个发展，正在研究和开发中。

对于所有类型的系统闪存，对于所有类型的系统都非常重要，因为它可以在不使用时关闭时保留存储器，从而在功率有限的嵌入式系统中节约能源——尤其重要。然而，内存公司正在探索如何在较小的包装中应用更快、更高的性能和更低的功耗RRAM当闪存接近其缩放极限时，击败闪存性能的能力。此外，亚利桑那州立大学州立大学等大学RRAM各种应用的优缺点。

比较射频和闪存

RRAM技术背后的概念并不新鲜——它们自20世纪60年代以来一直存在，但在过去10年中，它们作为当前内存技术的继承者获得了极大的兴趣。电阻器、电容器和电感器是电路的三个基本组成部分，但回忆电阻器是理论上的第四个组成部分。回忆电阻器是一种能够记住其历史并充当内存的电阻器RRAM实现这一概念的技术。RRAM该设备可以保持低电阻或高电阻状态，这取决于正电压或负电压，并且可以以位置的形式读取。当与电源断开时，这些状态仍然存在，因此它成为下一个非易失性存储技术。

亚利桑那州立大学的研究人员一直在积极发展RRAM技术。迈克尔·科齐奇教授是一种发展RRAM先驱-可编程金属化单元（PMC）商业变体导电桥RAM（CBRAM）。Kozicki教授和Hugh Barnaby副教授也一直在研究如何使RRAM技术在太空等极端环境中使用。在这些环境中，低功耗和非伏特性的结合至关重要。·弗鲁杜拉教授是RRAM积极支持技术在新计算中的应用。于世萌助理教授自2008年起从事助理工作RRAM研究。Yu说，当前的闪存(》10 μs和》10 V）相比，RRAM技术更快(《10 ns），较小的编程电压(《3 V）。

RRAM也有望比闪存更可靠，Yu说。内存的可靠性取决于耐久性(完整性丧失前的写入周期数)和保留期(数据的可读生存期)。RRAM与非易失性闪存相比，其耐久性较低，可实现10^4至10^5个周期。RRAM可以实现10^6至10^12个周期。Yu据说非易失性存储器的典型保留标准是85°C保持10年，这可以通过闪存来满足，也可以通过RRAM达到。

RRAM每一个比特成本都是成为闪存继任者的障碍。闪存是一种非常便宜的制造技术。Yu说，3D闪存技术的突破进一步降低了闪存的每一比特成本，将闪存等公司的成本RRAM路线图被推迟了几年，直到可以做到RRAM设备开发是一种更便宜、产量更高的制造策略。此外，性能改进不足以克服切换RRAM增加成本。

更像是大脑的记忆

然而，存储器市场并非如此RRAM唯一的应用。研究人员正在研究“神经突触”应用，或使计算机更像大脑。

今天，计算架构按顺序工作。CPU从内存中获取数据并进行计算。但是这往往会导致瓶颈。Barnaby他说，今天应用程序中数据的激增让人们想出了一种像大脑一样平行处理数据的方法。在我们大脑的神经网络中，突触连接着我们学习时大脑中的活动神经元。这个想法被使用了RRAM在电路中，存储器是人工神经元之间的突触。Barnaby说，这将有利于图像识别和语音识别等应用，涉及一些智能。

随着这些激动人心的发展，现在是使用内存技术的激动人心的时刻，这可能很快就会带走一些处理器的聚光灯。

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