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非易失性存储器

  • 用于实时数据记录的最佳非易失性存储器

    用于实时数据记录的最佳非易失性存储器

    用于实时数据记录的最佳非易失性存储器,非易失性存储器,数据,实时,用于,操作,存储器,非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM)是一种能够在断电情况下保持数据的存储设备。在实时数据记录应用中,需要一种可靠的非易失性存储器来存储数据,以便在断电或系统重启后能够恢复数据。以下是几种用于实时数据记录的最佳非易失性存储器:1、闪存存储器:闪存是一种常见的非易失性存储器,具有高存储密度和较快的读写速度。它可以用于实时数据记录,可...

    2023-08-07 17:38:00行业信息非易失性存储器 数据 实时

  • AD5251/AD5252分别是双通道、IC®非易失性存储器、64/256位数字控制电位器

    AD5251/AD5252分别是双通道、IC®非易失性存储器、64/256位数字控制电位器

    AD5251/AD5252分别是双通道、IC非易失性存储器、64/256位数字控制电位器,非易失性存储器,双通道,设置,操作,地址,雨刮器,特征AD5251:双64位分辨率;AD5252:双256位分辨率;1千欧、10千欧、50千欧、100千欧;非易失性存储器[1]存储带写保护的雨刮器设置;使用300微秒的EEMEM设置刷新电源;EEMEM重写时间=540微秒(典型值);存储在非易失性存储器中的电阻容限;EEMEM中的12个额外字节用于用户...

    2023-06-08 01:05:00电子技术非易失性存储器 双通道 设置

  • 内存技术成为存储器的下一代的发展

    内存技术成为存储器的下一代的发展

    内存技术成为存储器的下一代的发展,存储器,内存,市场,计算,非易失性存储器,闪存,内存的可靠性取决于耐久性(完整性丧失前的写入周期数)和保留期(数据的可读生存期)。Yu据说非易失性存储器的典型保留标准是85°C保持10年,这可以通过闪存来满足,也可以通过RRAM达到。然而,ADT7473ARQZ存储器市场并非如此RRAM唯一的应用。当我们考虑我们的智能手机和其他计算机设备时,内存通常不是我们在数据表上看到的第一个功能。通常,处理器会成为焦点...

    2023-06-08 00:30:00行业信息存储器 内存 市场

  • BQ4802Y、BQ4802LY是具有CPU管理器和外部SRAM非易失性存储器备份的并行实时时钟

    BQ4802Y、BQ4802LY是具有CPU管理器和外部SRAM非易失性存储器备份的并行实时时钟

    BQ4802Y、BQ4802LY是具有CPU管理器和外部SRAM非易失性存储器备份的并行实时时钟,实时时钟,并行,备份,非易失性存储器,输入,数据,特征■实时时钟以BCD格式记录数秒数–bq4802Y:5-V操作–bq4802LY:3.3-V操作■外部SRAM的片上备用电池切换电路,带非易失性控制■备用模式下时钟工作电流小于500毫安■带按钮超控的微处理器复位■具有可编程超时时间的独立看门狗定时器■电源故障中断警告■备用电池模式下的可编程时...

    2023-06-07 23:18:00电子技术实时时钟 并行 备份

  • 华虹半导体业务以功率器件全年收入创新高

    华虹半导体业务以功率器件全年收入创新高

    华虹半导体业务以功率器件全年收入创新高,功率器件,嵌入式,非易失性存储器,器件,非易失性存储器,业务,收入,华虹半导体业务以功率器件全年收入创新高-产能利用率方面,2022年第四季度总产能利用率为103.2%,其中8英寸产能利用率达105.9%,12英寸产能利用率为99.9%。"...

    2023-02-28 14:37:00行业信息器件 非易失性存储器 业务

  • 2021存储行业营收概况 非易失性存储表现亮眼

    2021存储行业营收概况 非易失性存储表现亮眼

    2021存储行业营收概况 非易失性存储表现亮眼,存储芯片,非易失性存储器,DRAM,非易失性存储器,存储芯片,行业,市场,2021存储行业营收概况 非易失性存储表现亮眼-在芯片产业中,存储芯片是全球集成电路市场销售额占比最高的分支,在产业中占据很重要的地位。2021年存储行业整体营收共计 214.49亿元,同比增长 91%,达五年间最高增速。"...

    2022-11-24 14:48:00行业信息非易失性存储器 存储芯片 行业

  • 英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货

    英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货

    英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货,英飞凌,英飞凌,非易失性存储器,业界,丢失,英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货-【 2022 年 11 月 22 日,德国慕尼黑讯】 近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™...

    2022-11-23 13:57:00行业信息英飞凌 非易失性存储器 业界

  • NAND、NOR和F-RAM的理想工作负载

    NAND、NOR和F-RAM的理想工作负载

    NAND、NOR和F-RAM的理想工作负载,非易失性存储器,NAND,NOR,非易失性存储器,负载,密度,数据,NAND、NOR和F-RAM的理想工作负载-过去,内存的进步主要通过密度或每比特成本的提高来衡量。但是,随着对非易失性存储器的性能要求的发展,用于选择它们的标准也发生了变化。工厂自动化、自动驾驶汽车、便携式医疗设备、边缘计算和物联网传感器等应用需要专门针对其独特要求而构建的存储器. 数据中心、计算机和消费设备中的大容量存储需要最高...

    2022-07-22 08:54:00行业信息非易失性存储器 负载 密度

  • 意法半导体非易失性存储器取得突破,率先在业界推出串行页EEPROM

    意法半导体非易失性存储器取得突破,率先在业界推出串行页EEPROM

    意法半导体非易失性存储器取得突破,率先在业界推出串行页EEPROM,意法,半导体,非易,失性,存储器,取得,突破,率,,突破,业界,非易失性存储器,推出,意法半导体非易失性存储器取得突破,率先在业界推出串行页EEPROM-2022 年 6 月 30 日,中国—— 依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀,意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM (Serial Page EEPROM)。这款全新类别的EEPROM 是一种SPI串行接口的...

    2022-07-01 11:17:00行业信息突破 业界 非易失性存储器

  • 贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品

    贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品

    贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品,产品,随机存取,存储器,接口,非易失性存储器,  贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品  2021年12月13日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 (FRAM) 和高密度电阻...

    2021-12-13 00:00:00百科产品 随机存取 存储器

  • FRAM存储器都用在了哪里

    FRAM存储器都用在了哪里

    FRAM存储器都用在了哪里,存储器,fram,物联网,存储器,非易失性存储器,物联网,富士通,FRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 (如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗。加贺富仪艾电子旗下代理品富士通半导体的FRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和...

    2021-10-28 10:26:00行业信息存储器 非易失性存储器 物联网

  • 非易失性存储器MR20H40CDF概述及优势

    非易失性存储器MR20H40CDF概述及优势

    非易失性存储器MR20H40CDF概述及优势,存储器,MRAM,芯片,存储器,非易失性存储器,芯片,市场,非易失性存储器MR20H40CDF概述及优势-Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM,对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,是理想的存储器解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时...

    2021-08-18 16:24:00行业信息存储器 非易失性存储器 芯片

  • 英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

    英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

    英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存,闪存,英飞凌,业界,非易失性存储器,推出,  航天级可编程逻辑器件(FPGA)需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射(RadTol)NOR闪存产品,该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级...

    2021-08-09 00:00:00百科闪存 英飞凌 业界

  • X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品

    X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品

    X-FAB增强其180nm高压CMOS技术产品组合中的车用嵌入式闪存产品,嵌入式,闪存,非易失性存储器,高压,增强,中国北京,2021年4月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,已为其XP018高压(HV)车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物(SONOS)技术——该技术具备更高的性能水平和一流的可靠性,完全符合严格的AEC100-Grade 0汽车规范...

    2021-04-15 00:00:00百科嵌入式 闪存 非易失性存储器

  • PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

    PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位

    PCM与MRAM将在非易失性存储器中处于领先地位,MRAM,非易失性存储器,新兴,存储器,类型,MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(相变存储器和磁RAM)将在独立存储器中处于领先地位。" /...

    2020-11-24 15:29:00行业信息非易失性存储器 新兴 存储器

  • Cerfe Labs开发基于CeRAM和FeFET的新型非易失性存储器

    Cerfe Labs开发基于CeRAM和FeFET的新型非易失性存储器

    Cerfe Labs开发基于CeRAM和FeFET的新型非易失性存储器,半导体,非易失性存储器,解释,操作,位点,CeRAM操作的一个独特功能是其单点氧化和还原(意味着电子的损失和增益)。对于CeRAM的活性材料,氧化和还原是通过量子隧穿效应在相同的镍离子位点发生的。从那时起,对正在发生的事情的解释变得极为复杂,并且依赖于那些用于处理单晶电子产品的效果所不熟悉的效果。" /...

    2020-10-09 17:49:00行业信息非易失性存储器 解释 操作

  • 上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

    上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

    上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请,指纹识,上海,芯片,非易失性存储器,上交所,8月3日,上交所正式受理了普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称普冉股份)的科创板上市申请。 招股书显示,普冉股份的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售,目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片,属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。 2...

    2020-08-06 15:20:00行业信息上海 芯片 非易失性存储器

  • X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

    X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

    X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能,公司,非易失性存储器,带来了,可能性,成熟,  基于公司成熟的SONOS技术,新增的Flash和EEPROM为汽车,医疗和工业领域带来了许多新的可能性。  全球领先的模拟/混合信号和专业代工厂商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在广泛使用的XT018 BCD-on-SOI平台上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。这些非易失性存储器(NVM)的添加将拓宽更多的应用范围,在这些应用中,需要高压额定...

    2019-10-18 00:00:00百科公司 非易失性存储器 带来了

  • 赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列

    赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列

    赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列,推出,非易失性存储器,随机存取,数据,数据采集,  用于汽车事件数据记录仪和Industry 4.0等应用的关键数据记录。  先进嵌入式解决方案的领导者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存储器系列,为关键任务数据采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon™铁电随机存取存储器(F-RAM™)系列具有高速非易失性数据记录功能,即使在恶劣的汽车和工业环境中,以及处于极端温...

    2018-03-19 00:00:00百科推出 非易失性存储器 随机存取

  • LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器

    LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器

    LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器,并行,选择,工作站,业界,非易失性存储器,  所选的并行nvSRAM拥有业界最佳速度、可靠性和低工作电压,  有助于实现更高性能的存储  赛普拉斯半导体公司日前宣布,LSI在其用于高性能服务器、工作站和外部存储器的12Gb/s SAS主机总线适配器(HBA)中,选用了赛普拉斯的并行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。nvSRAM为SAS HBA带来高速度、低电压、无故障的存储器,提升了LSI解决方案...

    2013-09-10 00:00:00百科并行 选择 工作站

  • 上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

    上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请

    上交所受理非易失性存储器芯片企业上海普冉科创板IPO申请,指纹识,上海,芯片,非易失性存储器,上交所,8月3日,上交所正式受理了普冉半导体(上海)股份有限公司(以下简称普冉股份)的科创板上市申请。 招股书显示,普冉股份的主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售,目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片,属于通用型芯片,可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。 2...

    2020-08-06 15:20:00行业信息上海 芯片 非易失性存储器

  • X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

    X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

    X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能,公司,非易失性存储器,带来了,可能性,成熟,  基于公司成熟的SONOS技术,新增的Flash和EEPROM为汽车,医疗和工业领域带来了许多新的可能性。  全球领先的模拟/混合信号和专业代工厂商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在广泛使用的XT018 BCD-on-SOI平台上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。这些非易失性存储器(NVM)的添加将拓宽更多的应用范围,在这些应用中,需要高压额定...

    2019-10-18 00:00:00百科公司 非易失性存储器 带来了

  • 赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列

    赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列

    赛普拉斯推出全新Excelon™F-RAM™高速、高可靠性的非易失性存储器系列,推出,非易失性存储器,随机存取,数据,数据采集,  用于汽车事件数据记录仪和Industry 4.0等应用的关键数据记录。  先进嵌入式解决方案的领导者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存储器系列,为关键任务数据采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon™铁电随机存取存储器(F-RAM™)系列具有高速非易失性数据记录功能,即使在恶劣的汽车和工业环境中,以及处于极端温...

    2018-03-19 00:00:00百科推出 非易失性存储器 随机存取

  • LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器

    LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器

    LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器 用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器,并行,选择,工作站,业界,非易失性存储器,  所选的并行nvSRAM拥有业界最佳速度、可靠性和低工作电压,  有助于实现更高性能的存储  赛普拉斯半导体公司日前宣布,LSI在其用于高性能服务器、工作站和外部存储器的12Gb/s SAS主机总线适配器(HBA)中,选用了赛普拉斯的并行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。nvSRAM为SAS HBA带来高速度、低电压、无故障的存储器,提升了LSI解决方案...

    2013-09-10 00:00:00百科并行 选择 工作站

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