英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

　　航天级可编程逻辑器件（FPGA）需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。

　　英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30 krad（Si）偏置和125 krad（Si）无偏置。在125°C时，这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期，数据保留期限为30年，在85°C时可达到1万次编程/擦除周期，数据保留期限为250年。

　　作为航天级存储器产品的领导者，英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括两个独立的256 Mb裸片，它们采用单个封装解决方案并排装配。这样，设计人员可以灵活地在任一裸片上以双QSPI或单QSPI模式独立运行器件，从而为其提供使用第二个裸片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与赛灵思等领先的FPGA生态系统公司就航天级应用展开密切合作。

　　Infineon Technologies LLC航空航天与国防业务副总裁Helmut Puchner表示：“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器获得最新航天级FPGA的全面支持。它们可以带来出色的低引脚数单芯片解决方案来配置处理器和FPGA。譬如，Xilinx Kintex® UltraScale™ XQRKU060的整个图像可以在Dual Quad模式下在大约 0.2 秒内加载。”

　　供货情况

　　RadTol NOR闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装， 可通过FPGA或通过独立编程器进行编程。这款器件支持-55°C至125°C的温度等级，SEU率 《 1 x 10-16次翻转/位-天，SEL 》 60 MeV.cm2/mg（85°C），SEFI 》 60 MeV.cm2/mg（LET），SEU阈值》 28 Mev.cm2/mg（LET）。

闪存英飞凌业界非易失性存储器推出

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。