非易失性存储器MR20H40CDF概述及优势

Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，是理想的存储器解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同，使用MR20H40CDF系列，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。Everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及产品相关技术方案。

MR20H40CDF概述

MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8，使用芯片选择（CS\）、串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四引脚接口。外设接口（SPI）总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI闪存组件通用的命令子集。这允许SPI MRAM替换同一套接字中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与其他串行存储器替代品相比，SPI MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及简单、可靠的数据保留。

MR20H40CDF的优势

与赛普拉斯FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：

•更快的随机访问操作时间（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）

•高可靠性和数据保留（在125℃工作温度下超过20年）

•无限读/写耐久性

•无需担心磨损

•断电时自动数据保护

•有竞争力的价格

•稳定的制造供应链

常见引脚

MR20H40CDF是一个4Mb非易失性RAM，组织为512Kx8，由标称3.3V电源供电，并与FRAM兼容。它提供标准的8引脚Small FlagDFN（DF版本）和8引脚DFN（DC版本），它们是通用封装选项，可直接替代SPI-FRAM8引脚SOIC和8-引脚DFN封装（表1）。

表 1. 引脚和封装比较

EVERSPIN MRAM 将提供最具成本效益的非易失性 RAM 解决方案。 MR2xH40xDF MRAM 使用更简单的 1 晶体管、1 磁隧道结单元构建。简单的 Everspin MRAM 单元可提高制造效率和可靠性。 MRAM 使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。数据不会在高温下泄漏，并且没有磨损机制来限制该技术中的读取、写入或电源循环次数。切换 MRAM 可靠性的另一个重要方面是数据保留，防止因热感应磁化翻转引起的错误。进行了加速烘烤测试，其中在烘烤前将棋盘图案写入部件，然后读取数据。三个批次的 1500 个代表性 4-Mb 部件在 150 ℃ 2000 小时到 260 ℃ 2 小时的条件下烘烤，并且观察到所有部件的数据保留翻转为零。外推到工作温度表明数据保留寿命超过 20 年。由于磁性材料对辐射暴露的固有稳健性，MRAM 还提供抗辐射性能。 4-Mb 芯片的阿尔法粒子和中子辐射显示错误率 《0.5 FIT/Mb。

存储器非易失性存储器芯片市场

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