电力半导体是许多应用领域不可或缺的上游设备

近年来，互联网的声音越来越高，几乎整个行业的电子发展都与电力半导体设备有关，这大大增加了对电力半导体BD3811K1设备的需求。根据不同的功能和使用场景，电源设备自然分为常见和不常见的类型。上次我们列出了常见的电源设备，这次我们将讨论哪些不常见的电源设备。

1.新型GTO设备-集成门对流晶闸管

有两个常规GTO替代品：高功率IGBT模块，新型GTO派生器件-集成门极更换流程IGCT晶闸管。IGCT与传统的大功率器件相比，晶闸管是一种新型的大功率器件，GTO与晶闸管相比，晶闸管具有关闭可靠、存储时间短、开启能力强、关闭门极电荷低、应用系统(包括阳极电抗器、缓冲电容器等)等优良特性。

2.脉冲功率闭合开关晶闸管

该装置特别适用于传输强峰功率(数)MW），非常短的持续时间(数)ns）应用场合的放电闭合开关，如激光、高强度照明、放电点火、电磁发射器、雷达调制器等。kV高压下快速开启，无放电电极，使用寿命长，体积小，价格相对较低，有望替代高压离子闸门流管、点火管、火花间隙开关或真空开关。

该装置独特的结构和工艺特点是：门-阴极周围较长，形成高度交织的结构。门极面积占芯片总面积的90%，而阴极面积仅占10%；基本空洞电子的使用寿命较长，门-阴极之间的水平距离小于扩散长度。上述两个结构特性确保该装置在开启时可以100%使用阴极区域。此外，该装置的阴极电极采用厚金属层，可承受瞬时峰值电流。

3.电力电子器件（PowerElectronicDevice）

电子设备（PowerElectronicDevice），也被称为率半导体器件，用于电能转换和电能控制电路中的大功率电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压超过数百伏）。可分为半控制装置、全控制装置和不可控制装置，其中晶闸管为半控制装置，电压和电流容量最高；电力二极管为不可控装置，结构简单，工作可靠；也可分为电压驱动装置和电流驱动装置GTO，GTR电流驱动器，IGBT，电力MOSFET电压驱动器件。

4.MOS门极控晶闸管

MOS门极控制晶闸管充分利用晶闸管良好的通态特性和良好的开关特性，有望具有良好的自关动态特性、非常低的通态电压降和耐高压性，成为未来电力装置和电力系统中具有发展前景的高压大功率装置。目前，世界上有十几家公司正在积极工作MCT的研究。MOS主要有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT），晶闸管由基极电阻控制（BRT）开关晶闸管（EST）。其中EST可能是MOS门控晶闸管中最有前途的结构之一。然而，这种设备应该真正成为一种商业实用的设备，以取代它GTO水平，还需要很长时间。

5.砷化镓二极管

随着转换器开关频率的增加，快速恢复二极管的要求也越来越高。众所周知，它比硅二极管具有更好的高频开关特性，但由于工艺等原因，砷化镓二极管的耐压性较低，实际应用有限。为了适应高压、高速、高效、低效EMI应用要求，高压砷化镓高频整流二极管Motorola该公司已成功开发。与硅快速恢复二极管相比，这种新型二极管的显著特点是反向泄漏电流随温度变化小，开关损耗低，反向恢复特性好。

目前，全球电力半导体设备主要由三个国家和地区提供：欧洲、美国和日本。凭借其先进的技术、制造技术和领先的质量管理体系，约占全球市场份额的70%。在许多国家科学研究计划的支持下，中国已经大大缩小了与世界的技术差距，并取得了巨大成就。电力半导体是许多应用领域不可或缺的上游设备。未来，随着工业的爆炸式增长，科技经济将实现快速增长。

上游应用领域器件高压结构装置

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