如何解决焊接电性能芯片的问题

芯片完成后，我们仍然需要制造一个设备来真正了解芯片的性能，并面临着如何焊接电性能芯片的问题。芯片与包装体的焊接是指半导体芯片与载体（包装外壳或基板）之间的牢固形成、传导或绝缘连接方法。焊接层除了为设备提供机械和电气连接外，还需要为设备提供良好的散热通道。

芯片BA3884S导电的焊接方法如下：

1)使用导电胶，即胶水可以导电，聚合物中添加了金属。粘合固化可以使用，但导热性和导电性一般。

2）共晶焊

共晶焊是一种非常有趣的现象，可以在较低的温度下焊接两种不同的金属。

也被称为低熔点合金焊接。共晶合金的基本特点是，两种不同的金属可以在远低于各自熔点温度的情况下形成一定比例的合金。微电子设备中最常用的共晶焊接是将硅芯片焊接到镀金底座或导线框架上，即“金-硅共晶焊”。众所周知，金熔点1063℃，硅的熔点较高，为1414℃。但如果按重量比为2.85％的硅和97.15%的金组合可以形成363熔点℃共晶合金体。这是金硅共晶焊的理论基础。

共晶焊的金属类型对连接影响很大。目前，工晶焊的主要合金是AuGe、AuSn、AuSi、SnIn、SnAg等等，它可以通过真空/可控气氛共晶炉设备来实现。它具有热导率、电阻小、传热快、可靠性强，粘结后剪切力大，适用于高频、芯片与基板在大功率器件中焊接。对于散热要求很高的功率器件，必须采用共晶焊接。

行业内一般有以下共晶工艺：

(1)点助焊剂与焊料共晶回流焊；

(2)超声热压焊工艺采用金球键合；

(3)金锡合金共晶回流焊工艺。

共晶回流焊主要针对共晶回流焊PbSn、纯Sn、SnAg等待焊接金属材料。这些金属的特点是回流温度相对较低。该方法的特点是工艺简单、成本低、但回流温度低，不利于二次回流。

金锡合金的共晶回流焊工艺为280金锡合金(20%锡)℃上述温度为液体。当温度慢慢下降时，会发生共晶反应，形成良好的连接。金锡共晶的优点是其共晶温度高于二次回流温度，一般为290~310℃，整个合金回流时间短，几分钟内可形成牢固连接，操作方便，设备简单；金锡合金和金银可以很好地结合。

真空回流焊炉

1.真空回流炉能提供低氧浓度和适当的还原气氛，大大降低焊料的氧化程度；

2.由于焊料氧化程度的降低，氧化物与焊剂反应的气体大大降低，从而降低了空洞产生的可能性；

3.真空可以使熔融焊料具有更好的流动性和更小的流动阻力，因此熔融焊料中的气泡浮力远远大于焊料的流动阻力，气泡很容易从熔融焊料中排出；

4.由于气泡与外部真空环境之间存在压差，气泡的浮力会很大，使气泡很容易摆脱熔融焊料的限制。真空回流焊接后，气泡的减少率可达99%，单个焊点的空洞率可小于1%，整个板的空洞率可小于5%。一方面可以增强焊点的可靠性和组合强度，增强焊点的润湿性能，另一方面可以减少焊膏在使用过程中的使用，提高焊点适应不同环境的要求，特别是高温高湿、低温高湿环境。

芯片性能增强器件气泡温度

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