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英飞凌推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器

2023-10-18 09:42:00

英飞凌（Infineon）是一家全球领先的半导体和系统解决方案制造商，在汽车、工业、通信以及安全领域具有广泛的应用和市场份额。最近，英飞凌宣布推出两款新型F-RAM（非易失性随机存取存储器）产品，分别具有1Mbit和4Mbit的存储密度。

F-RAM是一种BC858B非易失性存储器技术，具有类似于传统DRAM（动态随机存取存储器）的读写速度，但具有非易失性的特点，即在断电情况下可以保持数据的存储。与闪存相比，F-RAM具有更高的读写速度和更长的寿命，这使其成为许多应用领域的理想选择，包括汽车、工业自动化、物联网等。

新推出的1Mbit和4Mbit的F-RAM存储器产品具有以下特点：

1、高速读写：F-RAM存储器具有与传统DRAM相当的读写速度，可以实现高速数据存取，这对于要求实时响应的应用非常重要，如汽车电子系统中的数据记录和处理。

2、高耐久性：F-RAM存储器具有比闪存更高的擦写次数，可以达到10^14次以上，这使其在需要频繁写入的应用中具有更长的使用寿命。

3、低功耗：F-RAM存储器在读写操作中的功耗非常低，这对于依靠电池供电的移动设备和物联网节点非常重要，可以延长电池寿命。

4、宽温范围：F-RAM存储器产品具有较宽的工作温度范围，可以适应各种恶劣环境条件下的应用，包括高温、低温和高湿度环境。

5、集成度高：英飞凌的F-RAM存储器产品采用了先进的制造工艺，可以实现高集成度和小封装尺寸，适用于各种紧凑型设备和系统。

这两款新型F-RAM存储器产品将进一步扩大英飞凌在汽车和工业应用领域的产品线。汽车电子系统中，F-RAM存储器可以用于数据记录、车载娱乐系统、智能驾驶辅助等方面。工业自动化领域，F-RAM存储器可以用于数据采集、设备控制、传感器接口等方面。

除了1Mbit和4Mbit的F-RAM存储器产品，英飞凌还计划推出更高存储密度的产品，以满足不断增长的存储需求。同时，英飞凌也将继续致力于F-RAM存储器技术的研发和创新，以提供更高性能和更广泛应用的产品。