富士通推出12Mbit电阻式随机存取存储器MB85AS12MT

富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。

ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录1和0的电阻上产生巨大的变化。其电极间采用金属氧化物的简单结构，制造工艺非常简单，同时仍具有低功耗、写入速度快等优良特性。

MB85AS12MT该新产品是一种非易失性存储器，具有12Mbit的大存储密度，封装尺寸约为2mmx3mm。它在读取操作期间具有平均0.15mA的极低读取电流。该产品具有封装尺寸小、读取电流小等特点，非常适用于助听器、智能手表等可穿戴设备。

MB85AS12MT是一款具有12Mbit存储密度的非易失性存储器，可在1.6V至3.6V的宽电源电压范围内工作。新的ReRAM产品的内存密度是现有8MbitReRAM的1.5倍，同时保持相同的封装尺寸WL-CSP(晶圆级芯片尺寸封装)和相同的引脚分配。该产品可以在大约2mmx3mm的小包装尺寸中存储大约90页报纸的字符数据。

MB85AS12MT使用的WL-CSP与经常用于具有串行外设接口(SPI)的存储设备的8引脚SOP相比，可以节省大约80%的安装表面积。

与其他非易失性存储器相比，新的ReRAM产品具有极小的读取电流水平。在5MHz工作频率下，平均读取电流小至0.15mA，甚至在10MHz工作时最大读取电流为1.0mA。因此，通过将MB85AS12MT安装在具有频繁数据读取操作(例如特定程序读取或设置数据读取)的电池供电设备中，可以最大限度地减少电池消耗。它非常适合用于电池供电的小型可穿戴设备，例如助听器和智能手表。

富士通半导体存储器解决方案在继续为需要频繁数据重写的客户设备寻求更大密度的FRAM产品的同时，一直在开发新的非易失性存储器以满足频繁读取数据的要求，从而引入了这种新的12Mbit ReRAM产品。富士通半导体内存解决方案不断开发各种低功耗内存产品以满足客户的需求。

审核编辑：汤梓红

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