意法半导体推出全新MDmesh MOSFET 提高能效和开关性能

意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。

首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻（RDS（on））都非常低，可以极大程度提高功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻（RDS（on）max）都处于同类领先水平，STP65N045M9 为 45mΩ，STP60N043DM9 为 43mΩ。由于栅极电荷 （Qg）非常低，在 400V 漏极电压时通常为 80nC，两款器件都具有目前市场上一流的RDS（on）max x Qg品质因数 （FoM）。

STP65N045M9 的栅极阈压（VGS（th））典型值为 3.7V，STP60N043DM9 的典型值为 4.0V，与上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可极大程度地降低通断开关损耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr）也都非常低，这有助于进一步提高能效和开关性能。

意法半导体最新的高压 MDmesh 技术的另一个特点是增加了一道铂扩散工艺，确保本征体二极管开关速度快。该二极管恢复斜率（dv/dt） 峰值高于早期工艺。MDmesh DM9全系产品具有非常高的鲁棒性，在 400V电压时可耐受高达 120V/ns 的dv/dt斜率。

审核编辑：彭静

效和推出性能5G

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。