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东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

2022-02-01 20:22:00

东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

​东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件的阵容。

新模块在安装方式上与广泛使用的硅(Si) IGBT模块兼容。它们的低能量损耗特性满足了工业设备对更高效率和更小尺寸的需求，如轨道车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统。

应用

轨道车辆的逆变器和转换器

可再生能源发电系统

电机控制设备

高频DC-DC转换器

特点

安装方式兼容Si IGBT模块

损耗低于Si IGBT模块

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）, Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C

内置NTC热敏电阻

主要规格

（除非另有规定，否则@Tc=25°C）

部件编号

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

封装

2-153A1A

绝对

最大

额定值

漏-源电压VDSS(V)

1200

1700

栅-源电压VGSS(V)

+25/-10

+25/-10

漏极电流 (DC) ID(A)

600

400

漏极电流（脉冲）IDP(A)

1200

800

沟道温度Tch(°C)

150

150

隔离电压Visol(Vrms)

4000

4000

电气

特性

漏-源导通电压（感应）

VDS(on)sense典型值(V)

@VGS=+20V,

Tch＝25°C

0.9

@ID＝600A

0.8

@ID＝400A

源-漏导通电压（感应）

VSD(on)sense典型值(V)

@VGS=+20V,

Tch＝25°C

0.8

@IS＝600A

0.8

@IS＝400A

源-漏关断电压（感应）

VSD(off)sense典型值(V)

@VGS=-6V,

Tch＝25°C

1.6

@IS＝600A

1.6

@IS＝400A

开通损耗Eontyp. (mJ)

Eon典型值(mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

ID=600A

28

@VDS=900V,

ID=400A

关断损耗Eofftyp. (mJ)

Eoff典型值(mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

ID=400A

热敏电阻特性

额定NTC电阻R典型值(kΩ)

5.0

5.0

NTC B值 B典型值(K)

＠TNTC=25 - 150°C

3375

3375

东芝模块推出安装

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