Vishay推第四代600 VE系列MOSFET器件 高通骁龙数字底盘助力汽车发展

Vishay推出第四代600 VE系列MOSFET器件

Vishay Intertechnology， Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）​​推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E为电信、服务器和数据中心电源应用提供高效率，与上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，导通电阻降低了 27%，同时栅极电荷降低了 60%。这使得同级别器件的栅极充电时间导通电阻达到业界最低，这是电源转换应用中使用的 600 V MOSFET 的关键品质因数 （FOM）。

Vishay 提供广泛的 MOSFET 技术，支持电源转换过程的所有阶段，从高压输入到最新电子系统所需的低压输出。凭借 SiHK045N60E 和即将推出的第四代 600 VE 系列系列器件，该公司正在解决电力系统架构第一阶段（功率因数校正和硬开关 AC/DC 转换器拓扑）提高效率和功率密度的需求。

SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的节能 E 系列超级结技术构建，在 10 V 时具有 0.043 Ω 的低典型导通电阻和低至 65 nC 的超低栅极电荷。该器件的 FOM 为 2.8 Ω*nC，比同类中最接近的竞争 MOSFET 低 3.4%。为了提高开关性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效输出电容 C o（er）。这些值转化为降低的传导和开关损耗以节省能源。SiHK045N60E 的热阻 R thJC为 0.45 °C/W，比最接近的竞争器件低 11.8%，提供更高的热容量。

高通携手产业展示骁龙数字底盘强势发展势头，定义汽车行业未来

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骁龙数字底盘由一整套开放且可扩展的云连接平台组成，利用统一架构带来更高的安全性和沉浸式数字体验，支持下一代汽车在其整个生命周期中的功能升级。汽车制造商可以在其产品线中选择采用骁龙数字底盘所涵盖的任一平台或全部平台，并通过云端的持续升级为其产品提供高度定制化体验。

骁龙数字底盘的成功，得益于行业对其全面解决方案组合日益增长的需求，及其开放平台为领先汽车企业广泛合作所提供的便捷性。高通技术公司很高兴在拉斯维加斯举行的2022年国际消费电子展（CES）上分享行业对于骁龙数字底盘的广泛支持。

综合高通和Vishay官网整合

审核编辑：郭婷

数字底盘器件高通

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