基于反型底发射WOLEDs器件结构研发出世界最“亮”白光有机电致发光二极管

照明用电超过了全球电力总消耗的20%以上，已经广泛应用于平板显示产品的有机电致发光二极管（OLEDs）技术具有色温可调节、轻薄面光源、柔性、低深蓝光成分的特点，可以和无机LEDs优势互补，在固态照明领域具有广泛的应用前景。相比于白光LEDs，白光有机电致发光二极管（WOLEDs）的功率效率仍然偏低，一定程度上限制了WOLEDs的固态照明应用。其中WOLEDs中金属电极引起的等离子体模式能量损失极大阻碍了光提取效率的提高，从而限制了WOLEDs效率的进一步提高。

针对以上等离子体模式光提取的问题，西安交通大学吴朝新教授组研究了一种基于超厚有机多异质结空穴传输层的反型底发射WOLEDs器件结构，同时实现了高效的空穴注入和等离子体模式能量损失的抑制。在此基础上并结合常规的外光提取技术，在空穴传输层厚度为240 nm的超厚反型器件中，实现了228.4 lm/W的峰值正向功率效率，相比于空穴传输层厚度为60 nm的器件，功率效率提高了57%。同时，在1000cd m-2的亮度下，实现了166.3 lm/W的峰值正向功率效率，该结果经过第三方中科院苏州纳米研究所测试分析中心认证为165 lm/W，为国际最高记录，是世界最“亮”的白光有机电致发光二极管。

该项研究工作以“InvertedBottom-Emitting WhiteOrganic Light-Emitting Diodes withPowerEfficiency over 220 lm W-1”为题近期发表在国际期刊 Nano Energy （影响因子16.6）。论文第一作者为于跃博士，吴朝新教授、焦博副教授和苏州大学冯敏强教授为共同通讯作者，西安交通大学为第一作者和第一通讯作者单位。该工作得到国家重点研发计划项目“高亮度小型器件关键技术”的支持。

结构器件研发底发

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