韩国EUV光刻技术方面取得极大进展 专利申请是国外的两倍以上

IT之家 11 月 16 日消息 据韩国媒体 BusinessKorea 上周报道，韩国本土企业在 EUV 光刻技术方面取得了极大进展。但并没有提到是哪一家企业，合理推测应指代韩国整个半导体光刻产业。

EUV 光刻技术是多种先进技术的复合体，例如多层反射镜，多层掩模，防护膜，光源和注册表（registries）。

在过去的十年中，包括三星电子在内的全球公司进行了深入的研究和开发，以确保技术处于领先地位。最近，代工公司（意指三星）开始使用 5 纳米 EUV 光刻技术来生产智能手机的应用处理器（AP）。

按公司划分，全球六大公司的专利申请数占了总数的 59%，卡尔蔡司（德国）占 18%，三星电子（韩国）占 15%，ASML（荷兰）占 11%，S&S Tech（韩国）占 8%。），台积电（台湾）为 6%，SK 海力士（韩国）为 1%。

从具体的技术项目来看，曝光装置技术申请专利占 31%，掩膜技术申请专利占 28%，其他申请专利占 9%。在工艺技术领域，三星电子占 39%，台积电占 15%。在光罩领域，S&S 科技占 28%，Hoya（日本）占 15%，汉阳大学 （韩国）占 10%，朝日玻璃 （日本）占 10%，三星电子占 9%。

IT之家了解到，韩媒还提到了韩国专利数量，据韩国知识产权局 （KIPO）发布的《近 10 年 （2011-2020 年）专利申请报告》显示，2019 年，韩国提交的专利申请数量为 40 件，超过了国外企业的 10 件。

韩媒称这是韩国提交的专利申请量首次超过国外企业。到 2020 年，韩国提交的专利申请也将是国外企业申请的两倍以上。

专利技术方面进展多种

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