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真茂佳推出数十款MOS,20W-120W快充产品都可用
2020-12-02 09:58:00
深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术企业。
公司设计团队来自国内外顶尖功率半导体IDM企业的核心设计人员,并拥有至少15年以上设计经验;其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发,也是少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。
公司中低压MOS涵盖N型和P型,反压覆盖-12V至200V,导通电阻低至1mΩ以下。针对电源领域尤其是PD电源和快充领域公司主推SpeedFET系列产品,该系列产品击穿电压30V-150V、导通0.65-15mΩ、驱动电压均支持4.5V。该系列产品有比肩世界一流产品的优值(Qg*Rdson、Qgd*Rdson)和比导通电阻(Rdson*Area)。
公司针对PD电源和快充领域主推650-700V高压MOS,器件使用业内领先的超结技术,同样实现了业内领先的优值(Qg*Rdson)和比导通电阻(Rdson*Area)。为了提升器件可靠性,器件集成了ESD保护功能,有效减少了外部干扰对器件的损害,提升了器件装配和使用过程中的可靠性。同时器件集成可调Rg电阻能够有效控制器件的开关速度,解决了超结器件使用过程中经常遇到的EMI问题。通过优化漂移区N和P柱的掺杂分布实现了高EAS特性,有效提升了器件的抗冲击能力。
核心竞争力介绍:
通过栅极自钳位专利技术,使得器件使用过程中产生的VGS尖峰电压实现了行业最低水平。通过屏蔽栅阻尼网络专利技术可以使器件使用过程的Vds尖峰控制在较低水平。
通过优化器件的纵向掺杂分布使器件的电容曲线平滑,有效提升了EMI能力。针对同步整流应用,优化了寄生二极管的反向恢复特性。
通过提高二极管的软恢复因子,可以有效抑制尖峰提升EMI能力。
联系方式:
电话:0755-21006030
E-Mail:Contact@zmjsemi.com
真茂佳将在12月18日参加充电头网2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A08,感兴趣的小伙伴可前往展台进一步交流。
温馨提示
充电头网
2020(冬季) USB PD&Type-C亚洲展
将在12月18日于中国-深圳举办
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