3nm首发,GAA能成为三星的救星吗?,3nm,GAA,经在,吃力,效应,行业,FinFET与传统的平面晶体管MOSFET相比,显著减少了短沟道效应,也成功带领整个半导体行业跟着摩尔定律,从20nm走到了4nm、5nm的工艺节点上。然而随着工艺进一步推进,FinFET硅鳍越来越薄的厚度已经在抑制短沟道效应上愈发吃力,况且为了在同样的面积下实现更大的有效宽度,硅鳍的高度也在持续增加。 很明显,在我们正式进入2nm和3nm时代后,只靠EUV...
2022-07-30 08:39:00行业信息经在 吃力 效应