地址

• SoC芯片上的寄存器设计与验证

  

  SoC芯片上的寄存器设计与验证，验证,寄存器,芯片,地址,正确性,操作，SoC芯片（System on Chip）是一种集成了多个功能模块的芯片，包括处理器核心、内存、外设等，用于构建各种电子设备，如智能手机、平板电脑和HT1381物联网设备等。在SoC芯片中，寄存器（register）是其中一个重要的组成部分，用于存储和操作数据。寄存器设计是SoC芯片开发过程中的一个关键步骤，其目的是定义和规划芯片中的寄存器功能和结构。一个寄存器可能包含...

  2023-10-30 13:12:00行业信息验证 寄存器 芯片

• I2C地址切换电路

  

  I2C地址切换电路，电路图,消费类电子电路图,I2C地址切换电路 切换，I2C地址切换电路...

  2023-09-18 21:33:00电路图电路图 地址 消费类

• 地址译码电路设计实验报告

  

  地址译码电路设计实验报告，电路图,数字电路图,地址译码电路设计实验报告 译码电路，　　地址译码方式　　地址译码有两种方式，一种是单译码方式，或称为字结构方式；另一种是双译码方式，或称为X-Y译码结构。　　1）单译码方式　　16字×4位的存储器共有64个存储单元，排列成16行×4列的矩阵，每个小方块表示一个存储单元。电路设有4根地址线，可寻址24＝16个地址逻辑单元，若把每个字的所有4位看成一个逻辑单元，使每个逻辑单元的4个存储单元具有相同的地址码，译码电路输出的这...

  2023-09-18 19:04:00电路图数字 电路图 地址

• PCA9557PW 高压放大器技术参数、特点及应用

  

  PCA9557PW 高压放大器技术参数、特点及应用，高压,地址,控制,中断,输出,输入，PCA9557PW是一种可编程I/O扩展器，由德州仪器（Texas Instruments）公司生产。它是一款16位输入/输出（I/O）扩展器，可以通过I2C接口与主控器件通信。以下是PCA9557PW的技术参数、特点及应用。技术参数：1、供电电压范围：2.3V至5.5V2、输入/输出电压范围：0V至供电电压3、输入电流：±5mA4、I2C总线速度：10...

  2023-07-03 22:46:00行业信息高压 地址 控制

• W78ERD2是一种8位微控制器

  

  W78ERD2是一种8位微控制器，寄存器,中断,地址,数据,模式,计时器，1。一般说明W78ERD2是一种8位微控制器，其引脚和指令集与标准80C52兼容。w78erd2包含一个64-kb的flash-eprom，其内容可以通过存储在辅助的4-kb flash-eprom中的加载程序在系统中更新。一旦内容得到确认，就可以对其进行安全保护。W78ERD2还包含256字节的片上RAM；1 KB的辅助RAM；四个8位、双向和位可寻址I/O端口；一...

  2023-06-08 02:02:00电子技术寄存器 中断 地址

• X4003、X4005门狗定时器和电源电压监控

  

  X4003、X4005门狗定时器和电源电压监控，确认,设置,条件,地址,控制,操作，复位控制、看门狗定时器和电源电压监控。这种组合降低了系统成本，减少了板空间需求，提高了可靠性。向设备通电会激活开机重置。保持复位/复位激活一段时间的电路。这允许电源和振荡器在处理器执行代码之前稳定下来。看门狗定时器为微控制器提供独立的保护机制。当微控制器未能在可选的超时间隔内重新启动计时器时，设备激活复位/复位信号。用户从三个预设值中选择间隔。一旦选定，即使...

  2023-06-08 02:01:00电子技术确认 设置 条件

• 串行（SPI）汽车 F—RAM存储器

  

  串行（SPI）汽车 F—RAM存储器，存储器,闪存,引脚,地址,状态,模式，特征逻辑上4-kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）按512×8组织高耐久性10万亿（1013）读/写121年数据保留期（见数据保留和耐久表）nodelay写入先进的高可靠性铁电工艺非常快速的串行外围接口（SPI）最高14兆赫频率直接替换串行闪存和EEPROM的硬件支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）复杂的写保护方案使用写保护（WP）引脚的硬件保护使用写禁...

  2023-06-08 01:56:00电子技术存储器 闪存 引脚

• ADT761带串联电阻消除的1C温度监测器

  

  ADT761带串联电阻消除的1C温度监测器，温度,噪声,数据,转换,地址,寄存器，ADT7461是一种双通道数字温度计和温度过低/过高警报，用于PC和热管理系统。它与ADM1032兼容。ADT7461具有三个附加功能：串联电阻消除（其中与温度监测二极管串联的高达3 K（典型）电阻可从温度结果中自动消除，允许噪声过滤）；可配置警报输出；以及扩展的、可切换的温度测量范围。ADT7461可以精确测量远程热二极管的温度±1°C和环境温度±3°c.温...

  2023-06-08 01:54:00电子技术温度 噪声 数据

• 4-kbit铁电随机存取存储器

  

  4-kbit铁电随机存取存储器，存储器,随机存取,模式,总线,操作,地址， 特征逻辑上4-kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）按512×8组织高耐久性10万亿（1013）读/写121年数据保留期（见数据保留和耐久表）nodelay写入先进的高可靠性铁电工艺非常快速的串行外围接口（SPI）最高14兆赫频率直接替换串行闪存和EEPROM的硬件支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）复杂的写保护方案使用写保护（WP）引脚的硬件保护使用写禁...

  2023-06-08 01:54:00电子技术存储器 随机存取 模式

• AD5259是非易失性，I2C兼容256位，数字电位器

  

  AD5259是非易失性，I2C兼容256位，数字电位器，数字,寄存器,数据,操作,地址,读取，特征非易失性存储器保持刮水器设置；256位；LFCSP-10（3 mm x 3 mm x 0.8 mm）薄包装；紧凑型MSOP-10（3毫米×4.9毫米×1.1毫米）包装；I2C兼容接口；提供了更高的界面灵活性；端到端电阻5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ；存储在EEPROM中的电阻公差（0.1%精度）；上电EEPROM刷新时间＜1ms...

  2023-06-08 01:43:00电子技术数字 寄存器 数据

• 8M位和16M位串行闪存W25P80

  

  8M位和16M位串行闪存W25P80，闪存,参数,读取,地址,状态,指令，一般说明W25P80（8M位）和W25P16（16M位）串行闪存为空间、管脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。它们是代码下载应用程序以及存储语音、文本和数据的理想选择。这些设备在一个2.7V到3.6V的电源上工作，电流消耗低至4MA激活，1微A断电。设备采用节省空间的SOIC封装。作为系列flash产品的一部分，winbond还提供1米/2米/4米位密度的兼容设备。...

  2023-06-08 01:33:00电子技术闪存 参数 读取

• 16kbit（2K×8）串行（I2C）F-RAM

  

  16kbit（2K×8）串行（I2C）F-RAM，接收器,内存,条件,确认,地址,读取，功能特色逻辑上为16kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）按2K×8组织高耐久性100万亿（1014）读/写151年数据保留期（见数据保留和耐久表）nodelay写入先进的高可靠性铁电工艺快速2线串行接口（I2C）高达1兆赫的频率串行（I2C）EEPROM的直接硬件替换支持100 kHz和400 kHz的传统计时低功耗100μA 100 kHz时的有功...

  2023-06-08 01:31:00电子技术接收器 内存 条件

• ADT7463 DBCool控制器是一个完整的系统监视器和多个PWM风扇控制器

  

  ADT7463 DBCool控制器是一个完整的系统监视器和多个PWM风扇控制器，控制器,系统,监视器,读取,温度,地址，功能特色监控多达5个电源电压；控制和监控多达4个风扇转速；1个片上和2个远程温度传感器；监控多达6个处理器视频位；动态tmin控制模式智能优化系统声学；自动风扇速度控制模式根据测量的温度控制系统冷却；增强的声学模式显著降低了用户对风扇转速变化的感知；通过热输出的热保护功能；监视英特尔奔腾4对性能的影响；通过热输入的处理器热...

  2023-06-08 01:29:00电子技术控制器 系统 监视器

• FM24C04B 4-Kbit（512-x8）系列（I2C）F-RAM

  

  FM24C04B 4-Kbit（512-x8）系列（I2C）F-RAM，条件,接收器,存储器,确认,地址,读取，特征 ：逻辑上4-Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）按512×8组织高耐久性100万亿（1014）读/写151年数据保留期（见数据保留和耐久表）NoDelay写入先进的高可靠性铁电工艺快速2线串行接口（I2C）高达1兆赫的频率串行（I2C）EEPROM的直接硬件替换支持100 kHz和400 kHz的传统计时低功耗100μA...

  2023-06-08 01:27:00电子技术条件 接收器 存储器

• FM18W08 256 Kbit（32 K x 8）宽电压字节宽度 F-RAM存储器

  

  FM18W08 256 Kbit（32 K x 8）宽电压字节宽度 F-RAM存储器，存储器,读取,地址,周期,内存,操作，特征256 Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）逻辑组织为32k×8高耐久性100万亿（1014）读/写151年数据保留期（见数据保留和耐久表）NoDelay写入先进的高可靠性铁电工艺与SRAM和EEPROM兼容工业标准32 K×8 SRAM和EEPROM引脚70 ns访问时间，130 ns周期时间优于电池支持的...

  2023-06-08 01:23:00电子技术存储器 读取 地址

• AD5380是40通道，3 V/5 V，单电源，14位，DENSADAC

  

  AD5380是40通道，3 V/5 V，单电源，14位，DENSADAC，通道,操作,启用,地址,输出,数据，特征保证单调；输入误差：最大±4 LSB；片上1.25 V/2.5 V，10 ppm/℃基准；温度范围：–40°C至+85°C；轨对轨输出放大器断电；包装类型：100引线LQFP（14 mm×14 mm）；用户界面；平行的；串行（SPI-, QSPI-, MICROWIRE-，与DSP兼容，具有数据回读功能）；I2C兼容；坚固的6....

  2023-06-08 01:16:00电子技术通道 操作 启用

• FT24C02A 两线串行EEPROM 2K（8位宽）

  

  FT24C02A 两线串行EEPROM 2K（8位宽），模式,时钟周期,操作,编程,地址,读取，特征低压和低功率操作：FT24C02A:VCC=1.8V至5.5V，工业温度范围（-40℃至85%）。两个版本的FT24C02A：FT24C02A-5xx：低成本，有5个有效引脚。适用于大多数应用，除了同一IIC总线上有多个EEPROM。“设备寻址”部分中的详细信息。·FT24C02A Uxx:8个适用于所有应用的有效管脚。最大待机电流＜1μA...

  2023-06-08 01:15:00电子技术模式 时钟周期 操作

• FM27C512型 524288位（64K x 8）高性能CMOS EPROM

  

  FM27C512型 524288位（64K x 8）高性能CMOS EPROM，脉冲,控制,模式,地址,编程,输入，一般说明FM27C512是一种高性能512K紫外可擦除电可编程只读存储器（EPROM）。它采用Fairchild专有的CMOS AMGEPROM技术制造，实现了速度和经济性的完美结合，同时提供卓越的可靠性。FM27C512提供基于微处理器的系统存储操作系统和应用软件部分的容量。其90 ns访问时间提供无等待状态操作高性能CP...

  2023-06-08 01:15:00电子技术脉冲 控制 模式

• FM23MLD16 8位F-RAM存储器

  

  FM23MLD16 8位F-RAM存储器，存储器,位置,循环,内存,地址,数据，特征8Mbit铁电非易失性存储器组织为512Kx16使用/UB，/LB配置为1Mx8高耐久性100万亿（1014）读/写NoDelay写入页面模式操作至33MHz先进的高可靠性铁电工艺SRAM兼容JEDEC 512Kx16 SRAM引脚60 ns访问时间，115 ns周期时间高级功能低VDD显示器保护内存免受意外写入优于电池支持的SRAM模块无电池问题整体可靠...

  2023-06-08 01:13:00电子技术存储器 位置 循环

• FM27C256型 262144位（32K x 8）高性能CMOS EPROM

  

  FM27C256型 262144位（32K x 8）高性能CMOS EPROM，模式,脉冲,引脚,地址,编程,输出，一般说明FM27C256是一个256K电可编程只读记忆。它是用Fairchild最新的CMOS分瓣门制造的EPROM技术，使其能够以同样快的速度运行整个工作范围内的90 ns访问时间。FM27C256为大部分操作系统和应用软件。其90 ns的访问时间提供高速使用高性能CPU运行。FM27C256提供单片机解决方案对代码存储要...

  2023-06-08 01:11:00电子技术模式 脉冲 引脚

• FT24C02A 两线串行EEPROM 2K（8位宽）

  

  FT24C02A 两线串行EEPROM 2K（8位宽），模式,时钟周期,操作,编程,地址,读取，特征低压和低功率操作：FT24C02A:VCC=1.8V至5.5V，工业温度范围（-40℃至85%）。两个版本的FT24C02A：FT24C02A-5xx：低成本，有5个有效引脚。适用于大多数应用，除了同一IIC总线上有多个EEPROM。“设备寻址”部分中的详细信息。·FT24C02A Uxx:8个适用于所有应用的有效管脚。最大待机电流＜1μA...

  2023-06-08 01:15:00电子技术模式 时钟周期 操作

• FM27C512型 524288位（64K x 8）高性能CMOS EPROM

  

  FM27C512型 524288位（64K x 8）高性能CMOS EPROM，脉冲,控制,模式,地址,编程,输入，一般说明FM27C512是一种高性能512K紫外可擦除电可编程只读存储器（EPROM）。它采用Fairchild专有的CMOS AMGEPROM技术制造，实现了速度和经济性的完美结合，同时提供卓越的可靠性。FM27C512提供基于微处理器的系统存储操作系统和应用软件部分的容量。其90 ns访问时间提供无等待状态操作高性能CP...

  2023-06-08 01:15:00电子技术脉冲 控制 模式

• FM23MLD16 8位F-RAM存储器

  

  FM23MLD16 8位F-RAM存储器，存储器,位置,循环,内存,地址,数据，特征8Mbit铁电非易失性存储器组织为512Kx16使用/UB，/LB配置为1Mx8高耐久性100万亿（1014）读/写NoDelay写入页面模式操作至33MHz先进的高可靠性铁电工艺SRAM兼容JEDEC 512Kx16 SRAM引脚60 ns访问时间，115 ns周期时间高级功能低VDD显示器保护内存免受意外写入优于电池支持的SRAM模块无电池问题整体可靠...

  2023-06-08 01:13:00电子技术存储器 位置 循环

• FM27C256型 262144位（32K x 8）高性能CMOS EPROM

  

  FM27C256型 262144位（32K x 8）高性能CMOS EPROM，模式,脉冲,引脚,地址,编程,输出，一般说明FM27C256是一个256K电可编程只读记忆。它是用Fairchild最新的CMOS分瓣门制造的EPROM技术，使其能够以同样快的速度运行整个工作范围内的90 ns访问时间。FM27C256为大部分操作系统和应用软件。其90 ns的访问时间提供高速使用高性能CPU运行。FM27C256提供单片机解决方案对代码存储要...

  2023-06-08 01:11:00电子技术模式 脉冲 引脚