外延

• IEMN 结果显示ALLOS新型硅基氮化镓外延片产品具有超过1400V的击穿电压

  

  IEMN 结果显示ALLOS新型硅基氮化镓外延片产品具有超过1400V的击穿电压，外延，器件，显示，产品，横向，法国阿斯克新城和德国德累斯顿 - 2018 年 2 月 1 日 - 来自电子、微电子及纳米技术研究院 （IEMN） 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的一支团队制造出了器件，并在由德国 ALLOS Semiconductors 公司提供...

  2018-02-26 00:00:00百科外延 器件 显示

• 科锐开发出直径150mm的n型4H-SiC外延晶圆

  

  科锐开发出直径150mm的n型4H-SiC外延晶圆，外延，型结，芯片，公司，美国，　　美国科锐公司（Cree）开发出了直径为150mm（6英寸）、晶型结构为4H的n型SiC外延晶圆，适用于制造功率半导体、通信部件及照明部件等。　　此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。开发品具有足够的均质性，可以稳定供货，目前已开始销售。科锐在100mm（4英寸）SiC晶圆方面也有着良好的销售业绩，今后将继续致力于SiC晶圆的大口径化。...

  2012-09-05 00:00:00百科外延 型结 芯片

• 江苏宏微推出大功率超快速软恢复外延型芯片

  

  江苏宏微推出大功率超快速软恢复外延型芯片，芯片，外延，恢复，推出，鉴定，江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，顺利通过有关专家组鉴定。专家组一致认为，该公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指标均达到国际先进水平，其中1200V IGBT主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。标志着我国新型电力半导体器件从此走上了产业化道路，开始追赶并逐渐超越世界领先水平的新里程。　　IG...

  2012-03-06 00:00:00百科芯片 外延 恢复