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• ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

  

  ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET，底发，新一代，电阻，微细，耐压，~非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电...

  2021-11-30 00:00:00百科底发 新一代 电阻

• 采用全新工艺方法，超越微细化界限的世界最小元器件“RASMID™系列”

  

  采用全新工艺方法，超越微细化界限的世界最小元器件“RASMID™系列”，需求，方法，智能手机，微细，元器件， 近年来，伴随着各种设备的高性能化发展，对元器件小型化的需求日益高涨。在这种背景下，ROHM很早就开始利用独创的微细化技术，不断推进元器件小型化的技术创新。　　2011年，ROHM开发出低于被称为微细化界限的0402（0.4mm×0.2mm）尺寸的世界最小※贴片电阻器（0.3mm×0.15mm）；2012年，又开发出世界最小※半导体---齐纳二极管（0.4mm&time...

  2013-11-07 00:00:00百科需求 方法 智能手机