因数

• CMOS逻辑门构成的占空因数可调的振荡器

  

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• 用二极管提高振荡器的占空因数

  

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• 可变占空因数的脉冲发生器

  

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• 具有低占空因数的脉冲发生器

  

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• 占空因数可达95％的单稳态多谐振荡器

  

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• 占空因数高达98％的单稳态多谐振荡器

  

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• 具有高占空因数的单稳多谐振荡器

  

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• 简单的高占空因数单稳态多谐振荡器

  

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• 占空因数由外加电压控制的它激脉冲发生器

  

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• 安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

  

  安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET，单元，电磁干扰，碳化硅，因数，可在，　　优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度　　2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、服务器电源（PSU）、电信和不...

  2021-02-19 00:00:00百科单元 电磁干扰 碳化硅