纳微半导体发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓芯片，引领氮化镓迈入集成新高度

高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成，实现易用、高效、可快速充电的电源系统

美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，带来前所未有的高集成度和性能表现。

氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在尺寸和重量减半的前提下，实现高达3倍的功率处理能力或快3倍的充电能力。在电源系统中，一个优化的高频低压 (LV) 硅系统控制器必不可少。纳微不仅开发了这样的控制器还将其与其高性能的氮化镓芯片集成在一起，推出了业界首创的GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片技术。

初代GaNSense™ Control 合封氮化镓功率芯片系列具有高频准谐振 (HFQR) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式运行，频率高达 225 kHz。从单个采用表面贴片的QFN 封装（NV695x 系列）到以芯片组 (NV9510x + NV61xx)，可最大化电路设计的灵活性。在副边，与传统整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化镓功率芯片(NV97xx) ，可在任何负载条件下实现最大效率。

GaNSense™ Control合封芯片集成了无损电流检测、高压启动、抖频、低待机功率、宽Vdd输入电压的特性，能在元件更少，无电流采样电阻热点的前提下，带来小巧、高效、温控更优的系统。此外，一系列的集成保护功能包括800V瞬态电压击穿、2kV ESD及智能的过压、过流、过温保护带来了更稳固的功率芯片和可靠的电源系统。

GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片将率先覆盖20-150W的智能手机、平板电脑和笔记本电脑充电器，消费电子和家用电器、销售终端机、大功率数据中心和400V电动汽车系统中的辅助电源。目前，发货量已经超过100万片。

“我们将高频、模拟和混合信号的硅控制器，战略性地加入到与现有的氮化镓、碳化硅和数字隔离技术平台中去，为更优的电源系统奠定了设计基础，增加了每年10亿美元的市场机遇。我们先为GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片锚定了移动快充、家用电器以及数据中心辅助电源的市场方向。未来，我们将扩大版图至更高功率的清洁能源、储能和电动汽车领域。纳微半导体在这些市场中具备独有的优势——凭借先进的系统设计中心，影响客户的系统架构选择。由此，无论在下一代功率半导体中选择氮化镓还是碳化硅，我们都将具备最大化系统优势。”

——纳微半导体联合创始人兼首席技术官

首席运营官 Dan Kinzer

芯片高压集成系统美国

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