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美光出货全球首款232层NAND,进一步巩固技术领先地位
2022-07-28 00:00:00
最前沿的创新技术带来了具备最高性能和晶圆密度的 TLC NAND,并全部采用业界最小封装
2022 年 7 月 27 日,上海 — Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术,从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比,该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效,能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层,可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新,包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步,以及基于美光市场领先的 176 层 NAND 技术所进行的进一步设计创新。”
领先技术铸就卓越性能
随着全球数据量的增加,客户必须扩大存储容量,提升性能,同时降低能耗,并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光 232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储,支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务,同时还可在移动设备、消费电子产品和 PC 上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界最快的 NAND 输入/输出(I/O)速度 (每秒2.4GB),以满足低延迟和高吞吐量的需求,适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析,以及云计算等数据密集型工作负载。该 I/O 速度比美光在 176 层节点上所支持的最高速度还要快50%2。相比上一代产品,美光 232 层 NAND 的每颗裸片写入带宽提升至高100%,读取带宽提升至少 75%2。这些优势提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效。
此外,美光 232 层 NAND 还是全球首款六平面 TLC 量产 NAND3。与其他 TLC 闪存相比,该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量3,且每个平面都具有独立的数据读取能力。高 I/O 速度和低读写延迟,以及美光的六平面架构,使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突,推动系统级服务质量的提升。
美光 232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量产技术。NV-LPDDR4 是一种低压接口,与此前的 I/O 接口相比,每比特传输能耗可降低至少 30%。因此,232 层 NAND 解决方案可实现高性能与低功耗平衡,是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外,该接口还可向后兼容,支持传统控制器和系统。
232 层 NAND 紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计,同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比当今市场上的 TLC 竞品高 35% 到 100%3。它还采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封装规格,较前几代产品的封装尺寸小 28%2,使其成为目前市场上尺寸最小的高密度 NAND3。该产品兼具小体积和高密度,因此占用更小的电路板空间,适用于各类部署。
下一代 NAND 助力整个市场实现创新
美光首席商务官 Sumit Sadana 表示:“美光持续率先上市更高堆叠层数的 NAND,实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间,提升云计算性能,加快 AI 模型的训练速度,从而能够保持长期的技术领先地位。美光 232层 NAND 为端到端存储创新确立了新基准,助推多个行业的数字化转型。”
232 层 NAND 的开发得益于美光领先业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。
2022 年 7 月 27 日,上海 — Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术,从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比,该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效,能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层,可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新,包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步,以及基于美光市场领先的 176 层 NAND 技术所进行的进一步设计创新。”
领先技术铸就卓越性能
随着全球数据量的增加,客户必须扩大存储容量,提升性能,同时降低能耗,并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光 232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储,支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务,同时还可在移动设备、消费电子产品和 PC 上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界最快的 NAND 输入/输出(I/O)速度 (每秒2.4GB),以满足低延迟和高吞吐量的需求,适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析,以及云计算等数据密集型工作负载。该 I/O 速度比美光在 176 层节点上所支持的最高速度还要快50%2。相比上一代产品,美光 232 层 NAND 的每颗裸片写入带宽提升至高100%,读取带宽提升至少 75%2。这些优势提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效。
此外,美光 232 层 NAND 还是全球首款六平面 TLC 量产 NAND3。与其他 TLC 闪存相比,该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量3,且每个平面都具有独立的数据读取能力。高 I/O 速度和低读写延迟,以及美光的六平面架构,使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突,推动系统级服务质量的提升。
美光 232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量产技术。NV-LPDDR4 是一种低压接口,与此前的 I/O 接口相比,每比特传输能耗可降低至少 30%。因此,232 层 NAND 解决方案可实现高性能与低功耗平衡,是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外,该接口还可向后兼容,支持传统控制器和系统。
232 层 NAND 紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计,同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比当今市场上的 TLC 竞品高 35% 到 100%3。它还采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封装规格,较前几代产品的封装尺寸小 28%2,使其成为目前市场上尺寸最小的高密度 NAND3。该产品兼具小体积和高密度,因此占用更小的电路板空间,适用于各类部署。
下一代 NAND 助力整个市场实现创新
美光首席商务官 Sumit Sadana 表示:“美光持续率先上市更高堆叠层数的 NAND,实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间,提升云计算性能,加快 AI 模型的训练速度,从而能够保持长期的技术领先地位。美光 232层 NAND 为端到端存储创新确立了新基准,助推多个行业的数字化转型。”
232 层 NAND 的开发得益于美光领先业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。
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